[发明专利]高压静电保护结构

权利要求书

1.一种高压静电保护结构，所述高压静电保护结构基于SCR结构，其特征在于：所述结构由在第一导电类型的衬底中的第一导电类型的第一高压阱及第二导电类型的第二高压阱构成；

所述第一高压阱中包含有第一导电类型的第一重掺杂区及第二导电类型的第二重掺杂区，所述第一重掺杂区与第二重掺杂区之间间隔有场氧；

所述第二高压阱中包含有第一导电类型的第三重掺杂区及第二导电类型的第四重掺杂区；所述第三重掺杂区与第四重掺杂区之间间隔有场氧；

所述第一高压阱与第二高压阱其侧面并不抵靠，之间间隔一段衬底；

在第一高压阱与第二高压阱之间的衬底表层具有第一导电类型的第五重掺杂区及第二导电类型的第六重掺杂区，且所述第五重掺杂区与第六重掺杂区之间间隔有场氧；

所述的第一导电类型的第五重掺杂区靠近第一导电类型的第一高压阱，且与第一高压阱中的靠近第五重掺杂区的第二重掺杂区之间间隔有场氧；

所述的第二导电类型的第六重掺杂区靠近第二导电类型的第二高压阱，且与第二高压阱中的靠近第六重掺杂区的第三重掺杂区之间间隔有场氧；

所述的第五重掺杂区横跨在第一高压阱与衬底之间，即第五重掺杂区一部分位于第一高压阱内，剩余部分位于衬底中；

所述的第六重掺杂区横跨在第二高压阱与衬底之间，即第六重掺杂区一部分位于第二高压阱内，剩余部分位于衬底中。

2.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：所述的位于第一高压阱中的第一重掺杂区以及第二重掺杂区中均具有接触孔，引出后短接在一起，形成所述SCR结构的接地端；所述的位于第二高压阱中的第三重掺杂区以及第四重掺杂区中均具有接触孔；引出后短接形成所述SCR结构的静电端。

3.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征在于：所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区为浮空结构，不形成接触孔，不与外部连接。

4.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征在于：所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区，在俯视平面上均是呈一块整体的长条矩形；或者是，各自呈多个小的不连续的矩形，排成同一直线上；或者是，各自呈多个小的不连续的多边形或圆形，排在同一直线上。

5.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：所述的第五重掺杂区能够去除，只保留第六重掺杂区，在第六重掺杂区与第一高压阱中的第二重掺杂区之间以一段场氧隔离。

6.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：所述的第六重掺杂区能够去除，只保留第五重掺杂区，在第五重掺杂区与第二高压阱中的第三重掺杂区之间以一段场氧隔离。

7.如权利要求5或6所述的高压静电保护结构，其特征是：当只保留单侧的第五或第六重掺杂区时，所述的保留的重掺杂区能设计成在俯视平面上均是呈一块整体的长条矩形；或者是，各自呈多个小的不连续的矩形，排成同一直线上；或者是，各自呈多个小的不连续的多边形或圆形，排在同一直线上。

8.如权利要求4所述的高压静电保护结构，其特征是：所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区，当设计成多个排成直线的小块区域时，能通过调整小块区域的数量及尺寸半径，来调整器件的Snap-back骤回维持电压，达到防止发生Latch-up效应的目的。

9.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区之间的间距能够调整，通过调整所述间距能达到不同的静电保护结构的触发电压。

10.如权利要求1～8任一项所述的高压静电保护结构，其特征在于：所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。