[发明专利]一种光开关在审

专利信息
申请号: 202011039770.9 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112130352A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 梁宇鑫;崔乃迪;冯靖;冯俊波;郭进;刘柳 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02B6/122
代理公司: 江苏坤象律师事务所 32393 代理人: 赵新民
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关
【权利要求书】:

1.一种光开关,其特征在于:所述光开关包括第一无源波导结构(1)、第二无源波导结构(2)和有源波导结构(3),所述有源波导结构(3)设于所述第一无源波导结构(1)和所述第二无源波导结构(2)之间;

所述第一无源波导结构(1)和所述第二无源波导结构(2)均采用氮化硅材料制备形成,所述有源波导结构(3)采用铌酸锂薄膜材料制备形成。

2.根据权利要求1所述的光开关,其特征在于,所述第一无源波导结构(1)和所述有源波导结构(3)之间通过第一渐变波导结构(4)对接,所述第二无源波导结构(2)与所述有源波导结构(3)之间通过第二渐变波导结构对接。

3.根据权利要求2所述的光开关,其特征在于,所述第一无源波导结构(1)包括输入耦合器,所述第二无源波导结构(2)包括输出耦合器,所述输入耦合器和所述输出耦合器均与光纤对接。

4.根据权利要求3所述的光开关,其特征在于,所述输入耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器;

所述输出耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器。

5. 根据权利要求3所述的光开关,其特征在于,所述第一无源波导结构(1)还包括第一3dB耦合器(11),所述第二无源波导结构(2)包括第二3dB耦合器(21);

所述第一3dB耦合器(11)的一端与所述输入耦合器连接,所述第一

3dB耦合器(11)的另一端与所述第一渐变波导结构(4)连接;

所述第二3dB耦合器(21)的一端与所述输出耦合器连接,所述第

二3dB耦合器(21)的另一端与所述第二渐变波导结构连接。

6.根据权利要求5所述的光开关,其特征在于,所述第一3dB耦合器(11)基于MMI结构、Y分支结构或定向耦合器结构;

所述第二3dB耦合器(21)基于MMI结构、Y分支结构或定向耦合器结

构。

7.根据权利要求1所述的光开关,其特征在于,所述有源波导结构(3)包括平行双波导结构和电极结构(31)。

8.根据权利要求7所述的光开关,其特征在于,所述电极结构(31)中电极采用行波电极;

所述电极结构(31)的调制方式为单臂调制或推挽式调制。

9.根据权利要求2所述的光开关,其特征在于,所述第一渐变波导结构(4)和所述第二渐变波导结构均为渐变波导模式转换器。

10.根据权利要求9所述的光开关,其特征在于,所述渐变波导模式转换器为锥形模斑转换器。

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