[发明专利]复合电极、复合电极的制造方法、以及叉指换能器

权利要求书

1.一种复合电极，其特征在于，具有：

镀覆于压片基底上的由金属材料构成的第一层；

镀覆于所述第一层上的由钨钴合金材料构成的第二层；以及

镀覆于所述第二层上的由金属材料构成的第三层，

所述第一层由铬材料构成，

所述第三层由铝、铜或铝铜合金材料构成，

所述压片基底是由铌酸锂/钽酸锂构成的压电晶圆，

所述第一层与所述第二层在界面处通过扩散形成合金化层。

2.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于，

对于所述第一层，其蒸镀速率为且沉积厚度为10－100nm。

3.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于，

对于所述第二层，其蒸镀速率为且沉积厚度为10－100nm。

4.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于，

对于所述第三层，其蒸镀速率为且沉积厚度为500－1000nm。

5.如权利要求1至4中任一项所述的复合电极，其特征在于，

在本底真空度为2×10^-5～5×10^-5Pa的条件下，通过表面蒸镀来形成所述第一层、所述第二层、以及所述第三层。

6.一种叉指换能器，其特征在于，

在压片基底上固定多个权利要求1－5中任一项所述的复合电极，且相邻的所述复合电极之间的距离为固定值。

7.一种复合电极的制造方法，其特征在于，包括：

在压片基底上镀覆由金属材料构成的第一层的第一层形成步骤；

在所述第一层上镀覆由钨钴合金材料构成的第二层的第二层形成步骤；以及

在所述第二层上镀覆由金属材料构成的第三层的第三层形成步骤，

所述第一层由铬材料构成，

所述第三层由铝、铜或铝铜合金材料构成，

所述压片基底是由铌酸锂/钽酸锂构成的压电晶圆，

所述第一层与所述第二层在界面处通过扩散形成合金化层。

8.如权利要求7所述的复合电极的制造方法，其特征在于，

对于所述第一层，其蒸镀速率为且沉积厚度为10－100nm。

9.如权利要求7所述的复合电极的制造方法，其特征在于，

对于所述第二层，其蒸镀速率为且沉积厚度为10－100nm。

10.如权利要求7所述的复合电极的制造方法，其特征在于，

对于所述第三层，其蒸镀速率为且沉积厚度为500－1000nm。

11.如权利要求7至10中任一项所述的复合电极的制造方法，其特征在于，

在本底真空度为2×10^-5～5×10^-5Pa的条件下，通过表面蒸镀来形成所述第一层、所述第二层、以及所述第三层。