[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

数字线，其沿着第一方向延伸；所述数字线中的每一者具有拥有第一垂直厚度的含金属区域；

空隙区域，其邻近所述数字线且通过绝缘间隔件与所述数字线间隔开；所述空隙区域具有为所述第一垂直厚度至少约两倍大的第二垂直厚度；

导电区域，其通过包括所述空隙区域的介入区域与所述数字线横向地间隔开；及

存储元件，其与所述导电区域相关联。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述数字线延伸到第一高度，且其中所述空隙区域延伸到高于所述第一高度至少约30nm的第二高度。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一垂直厚度小于或等于约30nm。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括从基底向上延伸的作用区域柱；所述作用区域柱中的每一者具有一对存储元件接触区域，且具有在所述存储元件接触区域之间的数字线接触区域；所述数字线与所述数字线接触区域耦合，且所述导电区域与所述存储元件接触区域耦合。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述数字线的所述含金属区域通过经导电掺杂半导体材料耦合到所述数字线接触区域。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述经导电掺杂半导体材料包括经导电掺杂硅。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述存储元件为电容器。

8.一种集成组合件，其包括：

存储器阵列；

数字线，其沿着第一方向延伸穿过所述存储器阵列；

绝缘间隔件，其沿着所述数字线的侧壁；所述绝缘间隔件沿着所述数字线连续地延伸穿过所述存储器阵列；

导电区域，其通过介入区域与所述数字线横向地间隔开；所述导电区域被配置为沿着所述第一方向彼此间隔开的分段；所述介入区域包含所述绝缘间隔件的区域且包含邻近所述绝缘间隔件的所述区域的空隙区域；所述空隙区域被配置为沿着所述第一方向通过绝缘结构彼此间隔开的空隙区域分段；及

存储元件，其与所述导电区域相关联。

9.根据权利要求8所述的集成组合件，其包括向上延伸穿过所述空隙区域分段且将所述空隙区域分段中的每一者细分成空隙区域对的绝缘材料的柱。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述柱的所述绝缘材料包括低k组合物。

11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述柱的所述绝缘材料包括多孔二氧化硅。

12.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述柱的所述绝缘材料包括掺杂碳的二氧化硅。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述碳以从约8原子％到约13原子％的范围内的浓度存在于所述掺杂碳的二氧化硅中。

14.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述绝缘结构被配置为沿着正交于所述第一方向的第二方向延伸的条，且其中所述条具有介于所述经间隔开导电区域之间的区域。

15.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包括氮化硅。

16.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述绝缘间隔件为第一绝缘间隔件，且其中所述介入区域包含所述第一绝缘间隔件的区域且包含第二绝缘间隔件的区域，所述第二绝缘间隔件在所述空隙区域与所述导电区域之间。

17.根据权利要求16所述的集成组合件，其中所述第一及第二绝缘间隔件包括彼此相同的组合物。