[发明专利]一种大功率热源芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种大功率热源芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在衬底表面采用等离子体增强化学气相沉积技术制备钝化层；

步骤2、在钝化层表面采用磁控溅射制备第一粘附层；

步骤3、在第一粘附层表面采用薄膜气相沉积技术制备耐高温的第一金属膜层；

步骤4、采用光刻结合薄膜蚀刻技术将第一金属膜层制备成蛇形的多个温度传感器；温度传感器分布在第一粘附层表面不同位置；

步骤5、在温度传感器表面采用等离子体增强化学气相沉积技术制备绝缘层；

步骤6、在绝缘层表面采用磁控溅射的方法制备第二粘附层；

步骤7、在第二粘附层表面采用薄膜气相沉积技术制备耐高温的第二金属膜层；

步骤8、采用光刻结合薄膜蚀刻技术将第二金属膜层制备成蛇形的模拟热源电阻；模拟热源电阻均匀分布第二粘附层表面；

步骤9、采用光刻结合薄膜蚀刻技术将集成在模拟热源电阻底部的温度传感器焊盘互联区域的绝缘层去除；

步骤10、采用光刻结合薄膜沉积技术制备分别与模拟热源电阻和温度传感器互联的热源焊盘和温度传感器焊盘；

步骤11、采用薄膜沉积技术在衬底背面制备金属焊接层。

2.一种基于权利要求1所述的大功率热源芯片的制备方法制备的大功率热源芯片，其特征在于，所述热源芯片包括模拟热源电阻和多个温度传感器，所述模拟热源电阻和温度传感器均为蛇形串联薄膜平面电阻；所述模拟热源电阻均匀分布在模拟热源芯片表面；所述的温度传感器分布在模拟热源电阻底部，温度传感器与模拟热源电阻之间有一层绝缘层；所述温度传感器的电阻值远大于模拟热源电阻。

3.根据权利要求2所述的大功率热源芯片，其特征在于，所述模拟热源芯片包括衬底、钝化层、第一粘附层、第一金属膜层、绝缘层、第二粘附层、第二金属膜层，所述钝化层设于衬底表面，第一粘附层设于钝化层表面，第一金属膜层设于第一粘附层表面，第一金属膜层经过光刻结合薄膜刻蚀技术形成温度传感器；绝缘层覆盖于温度传感器表面，第二粘附层设于钝化层表面，第二金属膜层设于第二粘附层表面，第二金属膜层经过光刻结合薄膜刻蚀技术形成模拟热源电阻及与模拟热源电阻互联的热源焊盘，去除传感器互联区域的绝缘层引出与传感器互联的温度传感器焊盘；衬底背面设有金属层，用于焊接。

4.根据权利要求2或3所述的大功率热源芯片，其特征在于，模拟热源芯片中热源焊盘数量为2个，每个温度传感器所对应的温度传感器焊盘数量为4个。

5.根据权利要求4所述的大功率热源芯片，其特征在于，所述温度传感器数量为1-10个。