[发明专利]谐振器及其形成方法

权利要求书

1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：

提供压电叠层结构，所述压电叠层结构包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述压电叠层结构具有第一面和与所述第一面相背的第二面；

在所述压电叠层结构的所述第一面上形成第一介电层；

提供第一衬底，所述第一衬底的顶部具有顶部掺杂区；

将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合；

将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合后，在所述压电叠层结构的第二面上形成第二介电层；

刻蚀所述第二区域的所述第一介电层、压电叠层结构以及第二介电层，形成露出所述顶部掺杂区的第一开口和第二开口；

在所述第一开口和第二开口中填充导电材料，分别形成第一插塞和第二插塞。

2.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，提供第一衬底的步骤中，所述顶部掺杂区包括阱区；

所述谐振器的形成方法还包括：提供第一衬底后，将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合前，

在所述阱区的顶部形成相间隔的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂离子和第二掺杂区的掺杂离子的导电类型不同；

形成所述第一开口和第二开口的步骤中，所述第一开口露出所述第一掺杂区，所述第二开口露出所述第二掺杂区。

3.如权利要求1或2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述顶部掺杂区中掺杂有P型离子或者N型离子。

4.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂区和第二掺杂区的步骤中，所述第一掺杂区中掺杂有N型离子，第二掺杂区中掺杂有P型离子。

5.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂区和第二掺杂区的步骤中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的间隔为3微米至1000微米。

6.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述阱区的顶部形成相间隔的第一掺杂区和第二掺杂区的步骤包括：

形成覆盖所述阱区的第一遮挡层，所述第一遮挡层具有露出部分所述第二区域的阱区的第一凹槽；

在所述第一遮挡层露出的所述阱区中掺杂第一型离子，形成所述第一掺杂区；

所述谐振器的形成方法还包括：形成所述第一掺杂区后，去除所述第一遮挡层；

去除所述第一遮挡层后，形成覆盖所述阱区的第二遮挡层，所述第二遮挡层具有露出部分所述第二区域的阱区的第二凹槽；

在所述第二遮挡层露出的所述阱区中掺杂第二型离子，形成所述第二掺杂区；

所述谐振器的形成方法还包括：形成所述第二掺杂区后，去除所述第二遮挡层。

7.如权利要求6所述的谐振器的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺在所述第一遮挡层露出的所述阱区中掺杂离子，形成第一掺杂区；

采用离子注入工艺在所述第二遮挡层露出的所述阱区中掺杂离子，形成第二掺杂区。

8.如权利要求1或2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述谐振器的形成方法还包括：在所述压电叠层结构上形成第一介电层前，在第一区域的所述压电叠层结构上形成第一牺牲层；

形成所述第一介电层的步骤中，在所述第一牺牲层以及所述第一牺牲层露出所述压电叠层结构上形成所述第一介电层；

所述谐振器的形成方法还包括：将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合后，在所述第一区域的所述压电叠层结构的第二面上形成第二牺牲层；所述谐振器的形成方法还包括：形成所述第二介电层后，形成第一开口和第二开口前，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。

9.如权利要求8所述的谐振器的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层的步骤包括：刻蚀第二区域的所述第二介电层、第二牺牲层以及压电叠层结构，形成露出所述第一牺牲层的第一释放孔；

形成所述第一释放孔后，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层；

形成所述第一释放孔的步骤中，还刻蚀所述第一区域和第二区域的所述第一介电层，形成露出所述第二牺牲层的第二释放孔。