[发明专利]氧化锆烧结体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011040665.7 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112624761A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 伊藤晶子;渡部绫子;畦地翔;永山仁士;藤崎浩之 申请(专利权)人: 东曹株式会社
主分类号: C04B35/488 分类号: C04B35/488;C04B35/622;C04B35/626;A61K6/818
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 日本国山口县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化锆 烧结 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化锆烧结体,其特征在于,

所述氧化锆烧结体含有氧化钇及氧化锆,氧化钇含量为4.5mol%以上且6.5mol%以下,余量为氧化锆,试样厚度为1mm且根据JIS K 7361-1而测定的全光线透过率为46.5%以上,三点弯曲强度为700MPa以上,试样厚度为1mm且测定波长为400~700nm下的直线透过率的累计值相对于全光线透过率的累计值的比为1.3%以下。

2.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体,其中,

所述氧化锆烧结体含有氧化铝。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锆烧结体,其中,

氧化铝含量为0.005质量%以上且0.2质量%以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化锆烧结体,其中,

平均晶体粒径为0.5μm以上且1.8μm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化锆烧结体,其中,

所述氧化锆烧结体含有氧化钇浓度不同的晶体颗粒。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化锆烧结体,其中,

氧化钇浓度最大的晶体颗粒与氧化钇浓度最小的晶体颗粒之间的氧化钇浓度的差为2.7mol%以上且7mol%以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的氧化锆烧结体,其中,

氧化钇浓度为3.0mol%以上且4.0mol%以下的晶体颗粒在晶体颗粒中所占的个数比例为10%以上且50%以下。

8.一种权利要求1至7中任一项所述的氧化锆烧结体的制造方法,其特征在于,

所述制造方法具有对含有氧化锆粉末的成形体进行烧结的工序,

所述氧化锆粉末含有氧化钇源及氧化锆,氧化钇源的含量为4.5mol%以上且6.5mol%以下,余量为氧化锆,正方晶和立方晶在氧化锆的结晶相中所占的合计比例为90%以下,BET比表面积为7.5m2/g以上且15m2/g以下,平均微晶直径为以上。

9.根据权利要求8所述的制造方法,其中,

所述氧化锆粉末含有氧化钇含量不同的氧化锆粉末颗粒。

10.根据权利要求9所述的制造方法,其中,

在所述氧化锆粉末中,一种氧化锆粉末颗粒与另一种氧化锆粉末颗粒之间的氧化钇含量的差超过3.0mol%。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造方法,其中,

所述工序中的烧结为常压烧结。

12.一种氧化锆粉末,其含有氧化钇源和氧化锆,氧化钇源的含量为4.5mol%以上且6.5mol%以下,余量为氧化锆,正方晶和立方晶在氧化锆的结晶相中所占的合计比例为90%以下,BET比表面积为7.5m2/g以上且15m2/g以下,平均微晶直径为以上。

13.一种煅烧体的制造方法,其特征在于,使用权利要求12所述的氧化锆粉末。

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