[发明专利]一种基于升压型准Z源单级隔离逆变拓扑电路有效
申请号: | 202011040966.X | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112202356B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 张磊;所玉君;崔建飞 | 申请(专利权)人: | 天津津航计算技术研究所 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 王雪芬 |
地址: | 300308 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 升压 源单级 隔离 拓扑 电路 | ||
1.一种基于升压型准Z源单级隔离逆变拓扑电路,其特征在于,包括准Z源LC网络、升压型单元;所述准Z源LC网络包括二极管D4、电感L1、电容C1;所述升压型单元包括二极管D2~D3、电感L2~L3、电容C3;所述拓扑电路还包括电容C2、电容C4、电容C5、逆变开关管Q1、逆变开关管Q3、变压器T1~T2、整流开关管Q2、整流开关管Q4;
其中,准Z源LC网络中的二极管D4的正极与输入电源的正极之间串联准Z源LC网络中的电感L1,准Z源LC网络中的二极管D4的负极与输入电源的负极之间串联准Z源LC网络中的电容C1;二极管D3的正极与二极管D2的正极之间串联电感L2,二极管D3的负极与二极管D2的正极之间串联电容C3,二极管D3的负极与二极管D2的负极之间串联电感L3;升压型单元将输入电压升压至所需的幅值;准Z源LC网络中的二极管D4的负极接二极管D3的正极,准Z源LC网络中的二极管D4的正极与二极管D2的负极之间串联电容C2;二极管D2的负极与逆变开关管Q1的漏极之间串联变压器T1的原边,逆变开关管Q1的源极接输入电源的负极,二极管D2的负极与逆变开关管Q3的漏极之间串联变压器T2的原边,逆变开关管Q3的源极接输入电源的负极,通过控制Q1和Q3的PWM调制波形,达到控制幅值得效果;整流开关管Q2的源极接变压器T1副边的同名端,整流开关管Q2的漏极与变压器T1副边的非同名端之间串联电容C4,整流开关管Q4的源极接变压器T2副边的非同名端,整流开关管Q4的漏极与变压器T2副边的同名端之间串联电容C5,变压器T1副边的非同名端接变压器T2副边的同名端,整流开关管Q2的漏极接交流输出的正极,整流开关管Q4的漏极接交流输出的负极,通过电容与整流开关管将变压器原边的高频调制波转变成为交流输出电压。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,开关管Q1、Q2、的漏极与源极之间均并联一个碳化硅二极管,其中开关管的漏极接碳化硅二极管的负极,开关管的源极接碳化硅二极管的正极。
3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,开关管Q3、Q4的漏极与源极之间均并联一个碳化硅二极管,其中开关管的漏极接碳化硅二极管的负极,开关管的源极接碳化硅二极管的正极。
4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,开关管Q1、Q2、的漏极与源极之间还均并联一个瓷质电容。
5.如权利要求3所述的电路,其特征在于,开关管Q3、Q4的漏极与源极之间还均并联一个瓷质电容。
6.一种如权利要求1至5中任一项所述的拓扑电路在逆变拓扑电路设计技术领域中的应用。
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