[发明专利]一种半导体器件的制备方法、半导体结构

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成氮化钛层；

利用氮气或氨气等离子体清洗所述氮化钛层的表面，以对所述氮化钛层进行氮化处理，以使得所述氮化钛层在(111)晶面的末端键为N键；

在所述氮化钛层上形成导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层为金属钨层，

所述在所述氮化钛层上形成导电层，包括：

利用沉积工艺形成金属钨层，沉积工艺采用的气体包括：六氟化钨和乙硼烷。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属钨层包括：钨成核层和钨体层；

所述在所述氮化钛层上形成导电层包括：

在所述氮化钛层上形成钨成核层；

在所述钨成核层上形成钨体层；

所述钨成核层的沉积速率小于所述钨体层的沉积速率。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成氮化钛层包括：

利用原子层沉积工艺在所述衬底上形成氮化钛层。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层包括交替层叠的绝缘层和牺牲层；

所述在所述衬底上形成氮化钛层之前，还包括：

去除所述牺牲层，形成镂空结构；

所述在所述衬底上形成氮化钛层包括：

在所述绝缘层表面形成氮化钛层；

所述在所述氮化钛层上形成导电层包括：

填充所述镂空结构，形成栅极层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述氮化钛层进行氮化处理的时间小于60s。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有氮化钛层，所述氮化钛层在(111)晶面的末端键为N键；

所述氮化钛层上形成有导电层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层为金属钨层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为3D存储器，所述衬底上形成有交替层叠的绝缘层和所述导电层，所述导电层之间形成有所述氮化钛层，其中，所述导电层为栅极层。