[发明专利]一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺

权利要求书

1.一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：

A.对陶瓷基片进行尺寸检测；

B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；

C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；

D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；

E.对初分后的白片进行压烧；

F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；

G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；

H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。

2.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。

3.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸，再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。

4.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。

5.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。

6.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。

7.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。

8.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述基片生烧、压烧、煅烧时基片的放置规格为：60片每摞，每层10摞，每推板放置4层，每板共烧结2400片，每片之间采用粒径100µm左右的氧化铝粉敷粉均匀筛致生胚表面隔粘。