[发明专利]一种宽频透波的吸透一体电磁超结构

权利要求书

1.一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述吸透一体电磁超结构包括从上至下依次层叠设置的阻抗超结构层和透波单元，所述透波单元设置有至少一个，所述透波单元包括低介电层以及设置在低介电层下方的透波超结构层；

所述阻抗超结构层包括第一介质基板以及设置在第一介质基板上的贴片电阻、一个谐振方环和两个E形偶极子谐振片；

所述谐振方环为短边开口长边相连谐振方环，所述短边开口长边相连谐振方环为金属贴片；

两个E形偶极子谐振片的开口呈正对设置，两个E形偶极子谐振片的中间横金属片分别与所述谐振方环两侧的长边相连；所述谐振方环两侧的长边之间设置有金属连接线，所述谐振方环两侧的长边与金属连接线之间设置有所述贴片电阻，所述谐振方环两侧的长边通过所述贴片电阻与金属连接线连接；

所述透波超结构层包括第二介质基板和设置在第二介质基板上的透波谐振金属片；

所述透波谐振金属片包括金属方框以及设置在金属方框内的五个金属方块，所述五个金属方块包括中心金属方块以及分别扣在中心金属方块四个边角处的边角金属方块。

2.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述吸透一体电磁超结构按周期P呈阵列分布。

3.根据权利要求2所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述周期P的尺寸为10-16mm。

4.根据权利要求2所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述阻抗超结构层和透波超结构层均为正方形或者菱形，边长为P。

5.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述谐振方环中，其中长边边长为3-5mm，短边边长为1-3mm，宽度为0.2-0.6mm，开口为0.2mm。

6.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述E形偶极子谐振片为E形金属贴片，其中E形金属贴片的中间横金属片长度L1为3-6mm，宽度为0.2-1mm，竖金属片长度L2为9-14mm，宽度为0.2-1mm，两端横金属贴片长度L3为1-5mm、宽度为0.2-1mm。

7.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述贴片电阻的阻值为50-200欧姆。

8.根据权利要求2所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述金属方框边长为P，宽度为0.5-2.5mm，所述中心金属方块的边长为4-7.5mm，所述边角金属方块的边长为0.5-3mm。

9.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述低介电层为蜂窝或者PMI泡沫材料；所述阻抗超结构层与所述透波超结构层之间的低介电层的厚度为13-17mm，相邻两个透波超结构层之间的低介电层的厚度为3-6mm。

10.根据权利要求1所述的一种宽频透波的吸透一体电磁超结构，其特征在于：所述第一介质基板和所述第二介质基板为FR4、F4BK、F4BM、PI、PTFE、PF4中任意一种或多种组合基板，所述基板的厚度为0.1-1mm。