[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011042951.7 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112186081B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、有源层、p型GaN层、插入层及p型接触层，
所述插入层包括依次层叠在所述p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层，所述Mg量子点层包括多个分布在所述p型GaN层上的多个Mg量子点，所述第一GaN层为不掺杂的GaN层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一GaN层的厚度为20～60nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述插入层还包括层叠在所述第一GaN层上的第二GaN层，所述第二GaN层中掺有p型杂质。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层的厚度为50～100nm。
5.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层中p型杂质的掺杂浓度为所述p型GaN层中p型杂质的掺杂浓度的0.3～0.8倍。
6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层中p型杂质的掺杂浓度为8E19-5E19/cm3。
7.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长p型GaN层；
在所述p型GaN层上生长插入层，所述插入层包括依次层叠在所述p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层，所述Mg量子点层包括多个分布在所述p型GaN层上的多个Mg量子点，所述第一GaN层为不掺杂的GaN层；
在所述插入层上生长p型接触层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述p型GaN层上生长插入层，包括：
向反应腔内通入流量为100～600sccm的Mg源，以在所述有源层上生长Mg量子点层；
在所述Mg量子点层上生长所述第一GaN层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg量子点层的生长时长为30～60s。
10.根据权利要求8所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一GaN层的生长速率为所述p型GaN层的生长速率的1.5～4倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011042951.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
