[发明专利]高电子迁移率晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 202011042953.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112366136B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在Si衬底上生长漏电屏蔽层，所述漏电屏蔽层包括至少一个周期结构，每个所述周期结构采用如下三步形成：第一步，横向生长AlGaN，形成二维结构层；第二步，在300torr～500torr的压力下进行退火处理；第三步，纵向生长GaN，形成三维结构层；
在所述漏电屏蔽层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述周期结构的数量为4个～20个。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述横向生长AlGaN，形成二维结构层，包括：
在1200℃～1350℃的温度和75torr～150torr的压力下横向生长AlGaN，形成二维结构层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述二维结构层在纯氮气的环境中形成。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在300torr～500torr的压力下进行退火处理，包括：
在300torr～500torr的压力下将所述二维结构层的温度从500℃降低至200℃，进行退火处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理在纯氮气的环境中进行。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述纵向生长GaN，形成三维结构层，包括：
在1100℃～1200℃的温度和300torr～500torr的压力下纵向生长GaN，形成三维结构层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述三维结构层在氢气和氮气混合的环境中形成。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在Si衬底上生长漏电屏蔽层之前，在所述Si衬底上生长AlN成核层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述Si衬底上生长AlN成核层之后，在所述AlN成核层上生长AlGaN过渡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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