[发明专利]一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法在审
申请号: | 202011043570.0 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112140375A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 张德;刘鑫博;孟国天 | 申请(专利权)人: | 中电化合物半导体有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/02;B28D7/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
地址: | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 晶片 切割 系统 方法 | ||
1.一种碳化硅晶片的多线切割系统,其特征在于,包括:
固定平台;
切割平台,与所述固定平台连接,所述切割平台用于将碳化硅晶体切割成碳化硅晶片;
张力调控机构,通过钢线网与所述切割平台连接,所述张力调控机构用于调节所述钢线网的张力;
切削液喷嘴,连接在所述固定平台上,所述切削液喷嘴用于将切削液喷洒到所述切割平台上;
循环监控池,与所述切割平台连接;
冷却系统,与所述切割平台和所述循环监控池连接;
其中,所述张力调控机构包括张力轮和至少两个并排设置的导线轮,所述张力轮的竖直中心线与所述至少两个并排设置的导线轮的横向中心连线垂直;
所述张力轮通过张力臂与所述固定平台连接,所述张力臂能带动所述张力轮在竖直方向呈钟摆式摆动。
2.根据权利要求1所述的多线切割系统,其特征在于,所述固定平台呈竖直放置的圆盘状。
3.根据权利要求1所述的多线切割系统,其特征在于,所述循环监控池包括:
沉淀池,与所述切割平台进行连接;
过滤装置,位于所述沉淀池的顶端,所述过滤装置上设置有进液口;
搅拌监控池,与所述沉淀池并排连接,所述搅拌监控池用于存储从所述沉淀池流入的切削液;
导液通道,连通所述沉淀池的顶端和所述搅拌监控池的顶端。
4.根据权利要求3所述的多线切割系统,其特征在于,所述搅拌监控池内设置有搅拌桨。
5.根据权利要求1所述的多线切割系统,其特征在于,所述切割平台包括:
第一槽轮,横向固定在所述固定平台上;
第二槽轮,与所述第一槽轮并排设置,所述第二槽轮固定在所述固定平台上;
钢线网,缠绕在所述第一槽轮、所述第二槽轮和所述张力调控机构上。
6.一种碳化硅晶片的切割方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
提供权利要求1-5任一所述的碳化硅晶片的多线切割系统;
通过所述张力调节机构调节所述钢线网的张力;
通过所述切削液喷嘴将切削液喷洒到所述切割平台上;
根据所述钢线网在所述碳化硅晶体纵向截面上的切割位置,来实时控制所述钢线网的切割参数;
通过所述切割平台和所述切削液,将所述碳化硅晶体切割成碳化硅晶片。
7.根据权利要求6所述的切割方法,其特征在于,在根据所述钢线网在所述碳化硅晶体纵向截面上的切割位置,来实时控制所述钢线网的切割参数的步骤中,包括3-5个阶段的切割过程。
8.根据权利要求6所述的切割方法,其特征在于,所述碳化硅晶体包括多个碳化硅晶锭,所述碳化硅晶锭具有碳面层和硅面层。
9.根据权利要6所述的切割方法,其特征在于,所述切割参数包括进刀速度、摇摆角度、进线速度、定速时间及/或加减速时间。
10.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,所述碳化硅晶片的面型为马鞍状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电化合物半导体有限公司,未经中电化合物半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011043570.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。