[发明专利]一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置在审
申请号: | 202011044909.9 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112151445A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 蒋志亮;赵攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置,涉及但不限于显示技术领域,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的绑定区域,所述绑定区域包括靠近显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区;所述显示基板的制备方法包括:在基底的显示区域形成驱动结构层,在基底的绑定区域形成绑定结构层;在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层,在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝;在显示区域形成封装结构层,在绑定区域形成无机封装层,无机封装层包裹所述隔离坝;去除所述焊盘区的无机封装层。本公开实施例的显示基板的制备方法,在无机封装层的成膜过程中可不使用掩膜版,可节省生产成本。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,尤其涉及一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置。
背景技术
近些年随着有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示技术的兴起,市场对AMOLED显示装置的需求不断提升。由于有机发光二极管(OLED)显示产品采用有机发光材料自主发光的模式,因此在生产工艺中,需要考虑如何隔绝外部水氧侵入显示区域,避免外部水氧损坏有机发光材料而影响显示。一些技术中采用薄膜封装工艺将显示区域的OLED发光元件封装,以隔绝外部水氧,薄膜封装结构包括无机封装层和有机封装层,无机封装层在制备过程中采用化学气相沉积的方式制成,在化学气相沉积过程中需要配合使用掩膜版以将无机封装层形成在局部区域,这增加了生产成本。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置,在无机封装层制备过程中不需要使用掩膜版,可节约生产成本。
本公开实施例提供一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域,所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区;所述制备方法包括:
在基底的显示区域形成驱动结构层,在基底的绑定区域形成绑定结构层;所述驱动结构层包括像素驱动电路;
在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层,在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝,所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件;
在显示区域形成封装结构层,在绑定区域形成无机封装层,所述无机封装层包裹所述隔离坝;
去除所述焊盘区的无机封装层。
可选地,所述在显示区域形成封装结构层,在绑定区域形成无机封装层,包括:
在形成有所述发光结构层和所述隔离坝的基底的整个表面形成第一无机封装层;
在显示区域的第一无机封装层上形成有机封装层;
在形成有所述有机封装层的基底的整个表面形成第二无机封装层。
可选地,所述去除所述焊盘区的无机封装层之前,所述制备方法还包括:
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层;
在所述保护层上形成第一触控金属层,所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥;
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层;
所述去除所述焊盘区的无机封装层,包括:将焊盘区的所述触控绝缘层、所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除;
所述去除所述焊盘区的无机封装层之后,所述制备方法还包括:在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层,所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极,以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极,相邻两个第一触控电极一体连接,相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
可选地,所述去除所述焊盘区的无机封装层之前,所述制备方法还包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011044909.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造