[发明专利]基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用在审
申请号: | 202011045367.7 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN114284859A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 王学友;郑婉华;王宇飞;傅廷;陈静瑄 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/22;H01S5/10;H01S5/065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 时间 对称性 耦合 激光器 及其 应用 | ||
1.一种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器,包括:
N面电极层;
N型波导层,设置在N面电极层上;
有源区层,设置在N型波导层上;
P型波导层,设置在有源区层上,其上设有至少两个增益损耗脊型波导单元,每个增益损耗脊型波导单元均包括一个损耗脊型波导和一个增益脊型波导;
绝缘层,覆盖在P型波导层上,在损耗脊型波导和增益脊型波导顶部设有窗口区域;以及
P面电极层,包括损耗脊型波导P面电极和增益脊型波导P面电极,损耗脊型波导P面电极设置在损耗脊型波导的窗口区域上,增益脊型波导P面电极设置在增益脊型波导的窗口区域上,所有的损耗脊型波导P面电极连接于第一电源,所有的增益脊型波导P面电极连接于第二电源,通过第一电源和第二电源调节电流注入。
2.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述增益损耗脊型波导单元内的增益脊型波导和损耗脊型波导之间的间距d1为50nm至15μm。
3.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
相邻的两个所述增益损耗脊型波导单元之间的间距d2为50nm至15μm。
4.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
相邻的两个所述增益损耗脊型波导单元之间的间距d2大于所述增益损耗脊型波导单元内的增益脊型波导和损耗脊型波导之间的间距d1。
5.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述损耗脊型波导和所述增益脊型波导的宽度W1均为1μm至100μm;
所述损耗脊型波导和所述增益脊型波导的长度L均为200μm至5mm。
6.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述损耗脊型波导和所述增益脊型波导的高度均为300nm至3μm。
7.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述增益损耗脊型波导单元之间间距相同。
8.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述多腔耦合激光器的宽度w0为3μm至500μm;
所述多腔耦合激光器的长度L为200μm至5mm。
9.根据权利要求1所述的多腔耦合激光器,其特征在于,
所述绝缘层的厚度为100nm至1μm。
10.如权利要求1至9任一项所述的多腔耦合激光器在微纳结构及半导体光电子器件领域的应用。
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