[发明专利]一种KH2

权利要求书

1.一种在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，包括步骤如下：

将抛光后的水溶液晶体浸入到腐蚀液中，对晶体表面进行腐蚀，所述的腐蚀液为水-乙醇混合溶液，腐蚀液中水的质量含量为72～78％，对腐蚀后的晶体再次抛光，得到表面产生清晰位错蚀坑的晶体。

2.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，所述的腐蚀液和晶体两者的温差在2℃以内。

3.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，晶体浸入时间为10～20s。

4.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，腐蚀液中水的质量含量为74～76％，优选75％。

5.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，抛光采用抛光液进行，所述的抛光液为对应的晶体腐蚀液。

6.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，抛光操作在抛光机中进行。

7.根据权利要求6所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，抛光机的转速为120～200r/min。

8.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，抛光时间为2～4s。

9.根据权利要求1所述的在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，其特征在于，所述的水溶液晶体为磷酸二氢钾晶体(KDP晶体)或磷酸二氘钾晶体(DKDP晶体)。