[发明专利]一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置

权利要求书

1.一种滤波装置，其特征在于，包括：基底、至少一个谐振装置、无源装置及连接件；其中，所述至少一个谐振装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述无源装置位于所述第二侧；其中，所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述连接件连接；所述基底、所述至少一个谐振装置及所述无源装置位于一个晶片中。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括以下至少之一：声表面波谐振装置、体声波谐振装置。

3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。

4.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括集成无源装置，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。

5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述连接件包括以下至少之一：凸块、连接盘、电导线、通孔。

6.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置，所述第一谐振装置包括：第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔内或所述第一空腔上；第一压电层，覆盖所述第一空腔，所述第一空腔和所述第一压电层位于所述第一电极层的至少一部分的两侧；第二电极层，位于所述第一压电层上，所述第一电极层和所述第二电极层位于所述第一压电层两侧。

7.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述基底包括所述第一空腔及第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通；所述第一电极层的第一端位于所述第一空腔内，所述第一电极层的第二端位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度；所述第一压电层位于所述第一电极层上，所述第一压电层为平层，还覆盖所述基底。

8.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述基底包括所述第一空腔；所述第一电极层位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；所述第一压电层位于所述基底上方，覆盖所述第一电极层。

9.如权利要求8所述的滤波装置，其特征在于，所述第一压电层包括第一突起部，所述第一突起部位于所述第一电极层上方；所述第二电极层包括第二突起部，所述第二突起部位于所述第一突起部上。

10.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一突起部的形状包括：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括：梯形、矩形。

11.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述第一空腔位于所述基底上；所述第一电极层位于所述基底上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上，所述第一空腔与所述第一压电层位于所述第三突起部两侧；所述第一压电层位于所述基底上，所述第一压电层包括第四突起部，所述第四突起部位于所述第三突起部上方；所述的第二电极层包括第五突起部，所述第五突起部位于所述第四突起部上。

12.如权利要求11所述的滤波装置，其特征在于，所述第三突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形。

13.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一中间层，所述基底和所述第一压电层位于所述第一中间层两侧，所述第一中间层用于阻隔漏波，所述第一中间层包括所述第一空腔，所述第一中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。