[发明专利]用于高功率半导体器件的射流冲击冷却

权利要求书

1.一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件，包括：

热交换基部，所述热交换基部具有入口室和出口室；

入口连接，所述入口连接与所述入口室流体连接；

出口连接，所述出口连接与所述出口室流体连接；

射流板，所述射流板耦接到所述入口室；和

射流基座，所述射流基座形成在所述射流板上并具有凸起表面，所述凸起表面中形成有射流喷嘴。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述热交换基部被配置为接纳半导体模块，所述半导体模块包括至少一个半导体器件，所述至少一个半导体器件的正面背对所述入口室并且背面面向所述射流板。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述射流基座在所述射流板上具有第一配置，并且另外，其中所述射流板能够在所述热交换基部内与第二射流板互换，其中至少第二基座具有第二配置。

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，还包括在所述热交换基部内的室分隔件，并且室分隔件在所述热交换基部的第一侧上限定所述入口室以及在所述热交换基部的第二侧上限定所述出口室，所述室分隔件耦接到所述热交换基部并被配置为接纳所述射流板。

5.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，还包括在所述热交换基部内的室分隔件，并且室分隔件在所述热交换基部的第一侧上限定所述入口室以及在所述热交换基部的第二侧上限定所述出口室，所述室分隔件耦接到所述射流板并被配置为与所述射流板一起被接纳在所述热交换基部内。

6.根据权利要求1所述的用于半导体器件的射流冲击冷却组件，其中所述射流基座能够从所述射流板移除并能够与第二射流基座互换，所述第二射流基座具有大小与所述射流喷嘴不同的第二射流喷嘴。

7.一种用于半导体器件的射流冲击冷却的射流板组件，包括：

射流板，所述射流板被配置为被接纳在热交换基部内；和

射流基座，所述射流基座形成在所述射流板上并具有形成在凸起表面内的至少一个射流喷嘴，所述凸起表面通过将所述射流板连接到所述凸起表面的至少一个射流基座壁从所述射流板表面凸起，

其中所述射流板当被接纳在所述热交换基部内时限定从所述热交换基部的入口室通过所述射流喷嘴并通过由所述至少一个射流基座壁限定的返回路径到达所述热交换基部的出口室的流体流路径。

8.根据权利要求7所述的用于半导体器件的射流冲击冷却的射流板组件，其中所述射流板被配置为耦接到所述热交换基部的至少一个壁并耦接到所述热交换基部的将所述入口室和所述出口室分开的室分隔件。

9.根据权利要求7所述的用于半导体器件的射流冲击冷却的射流板组件，其中作为所述流体流路径的部分，所述射流基座定位在所述射流板上以使流体流从所述入口室射流冲击通过所述射流喷嘴并到达安装在耦接到所述热交换基部的半导体模块上的半导体器件的背面上。

10.一种制造用于半导体器件的射流冲击冷却组件的方法，包括：

形成热交换基部，所述热交换基部具有入口室和出口室；

形成入口连接，所述入口连接与所述入口室流体连接；

形成出口连接，所述出口连接与所述出口室流体连接；

形成射流板，所述射流板被配置为耦接到所述入口室；以及

在所述射流板上形成射流基座，并且所述射流基座具有凸起表面，所述凸起表面中形成有射流喷嘴。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

将所述射流基座形成为梯形棱柱。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述热交换基部内形成室分隔件，所述室分隔件将所述入口室与所述出口室分开，并且所述室分隔件被配置为接纳所述射流板。