[发明专利]自均压混合型LLC直流变换器有效

专利信息
申请号: 202011046773.5 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112350570B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 杨晓峰;郑琼林;刘妍;闫成章 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M3/28
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 代理人: 张新利;谢建玲
地址: 100044*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 混合 llc 直流 变换器
【权利要求书】:

1.自均压混合型LLC直流变换器,其特征在于,包括:

n个输入电容C1至Cn,从上到下依次串联;

输入电容的电位从上到下依次降低;

输入电容Ci的正负极各自引出正接线端子ui1和负接线端子ui2,1≤i≤n,i为整数;

n-1个谐振开关电容单元RSCU1至RSCUn−1,与输入电容相连;

n-2个整流单元REC1至RECn−2,与谐振开关电容单元相连;

n-2个整流单元REC1至RECn−2对应输出端口Uo1至Uo(n−2);

在整流单元和谐振开关电容单元之间,还设有n-2个串联谐振支路;

所述串联谐振支路包括:串联连接的谐振电感Lkr和谐振电容Ckr,1≤k≤n-2,k为整数;

根据整流单元中变压器形式及整流单元中开关选型的不同,整流单元具体包含以下5种基本类型:

采用全波不控整流结构的整流单元,或全桥不控整流结构的整流单元,用于无需能量双向流动的场合;

采用副边移相整流结构的整流单元,用于实现零电压软开关;

采用全波全控整流结构的整流单元,或全桥全控整流结构的整流单元,用于需要能量双向流动的场合;

所述整流单元、串联谐振支路与谐振开关电容单元的连接方式为:

各谐振开关电容单元均包括接线端子A4、接线端子A5;

各整流单元均包括接线端子B1、接线端子B2;

对于第j谐振开关电容单元RSCUj,1≤j≤n−1,j为整数,

其接线端子A4,与第j−1整流单元RECj−1的接线端子B2相连,

其接线端子A5,通过串联谐振支路,与第j整流单元RECj的接线端子B1相连,

所述串联谐振支路中的谐振电感与接线端子A5连接,谐振电容与接线端子B1连接;

其中:

第1谐振开关电容单元RSCU1的接线端子A4无外接单元,

第n−1谐振开关电容单元RSCUn−1的接线端子A5无外接单元;

所述谐振开关电容单元RSCU1至RSCUn−1分为两组,其中:

编号j=2m−1的为第一组,1≤m≤n/2,m为整数,

编号j=2m的为第二组;

每组包括:

4个全控型开关器件,分别为:第1开关管Sx1、第2开关管Sx2、第3开关管Sx3、第4开关管Sx4;

一组谐振开关电容支路,由串联连接的开关电感Lscx、开关电容Cscx构成;

j=2m−1时x=1,j=2m时x=2;

所述全控型开关器件,为绝缘栅场效应管MOSFET、绝缘栅双极性晶体管IGBT或氮化镓GaN器件;

其中,绝缘栅场效应管MOSFET的漏极、绝缘栅双极性晶体管的集电极、氮化镓GaN器件的漏极为a端;绝缘栅场效应管MOSFET的源极、绝缘栅双极性晶体管IGBT的发射极、氮化镓GaN器件的源极为b端;

第一组谐振开关电容单元的接线方式为:

第1开关管S11与第2开关管S12串联连接,

第2开关管S12与第3开关管S13串联连接,

第3开关管S13与第4开关管S14串联连接;

第1开关管S11的a端引出接线端子A1,

第2开关管S12的b端引出接线端子A2,

第4开关管S14的b端引出接线端子A3,

第1开关管S11的b端引出接线端子A4,

第3开关管S13的b端引出接线端子A5;

开关电感Lsc1与第1开关管S11的b端连接,

开关电容Csc1与第3开关管S13的b端连接;

第二组谐振开关电容单元的接线方式为:

第4开关管S24与第3开关管S23串联连接,

第3开关管S23与第2开关管S22串联连接,

第2开关管S22与第1开关管S21串联连接;

第4开关管S24的a端引出接线端子A1,

第3开关管S23的b端引出接线端子A2,

第1开关管S21的b端引出接线端子A3,

第4开关管S24的b端引出接线端子A4,

第2开关管S22的b端引出接线端子A5;

开关电感Lsc2与第4开关管S24的b端连接,

开关电容Csc2与第2开关管S22的b端连接。

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