[发明专利]存储介质的操作方法和装置

说明书

本申请公开了存储介质的操作方法和装置。该编程方法应用于介质接口控制器，该编程方法包括获取第一介质接口命令，所述第一介质接口命令指示对存储介质发起第一存储介质访问命令，所述第一存储介质访问命令指示存储介质进行第一编程操作；响应于获取到所述第一介质接口命令，判断第二介质接口命令指示的操作能否与所述第一编程操作构成缓冲编程操作，所述第二介质接口命令指示对存储介质发起第二存储介质访问命令，所述第二存储介质访问命令指示存储介质进行第二编程操作，所述第二介质接口命令为在所述第一介质接口命令之后执行的介质接口命令；若判断结果为是，向存储介质发起第三存储介质访问命令，所述第三存储介质访问命令指示存储介质进行第一缓冲编程操作。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储介质的操作方法和装置。

背景技术

图1展示了存储设备的框图。存储设备102同主机相耦合，用于为主机提供存储能力。主机同存储设备102之间可通过多种方式相耦合，耦合方式包括但不限于通过例如SATA(Serial Advanced Technology Attachment，串行高级技术附件)、SCSI(Small ComputerSystem Interface，小型计算机系统接口)、SAS(Serial Attached SCSI，串行连接SCSI)、IDE(Integrated Drive Electronics，集成驱动器电子)、USB(Universal Serial Bus，通用串行总线)、PCIE(Peripheral Component Interconnect Express，PCIe，高速外围组件互联)、NVMe(NVM Express，高速非易失存储)、以太网、光纤通道、无线通信网络等连接主机与存储设备102。主机可以是能够通过上述方式同存储设备相通信的信息处理设备，例如，个人计算机、平板电脑、服务器、便携式计算机、网络交换机、路由器、蜂窝电话、个人数字助理等。存储设备102包括接口103、控制部件104、一个或多个NVM芯片105以及DRAM(DynamicRandom Access Memory，动态随机访问存储器)110。

NAND闪存、相变存储器、FeRAM(Ferroelectric RAM，铁电存储器)、MRAM(MagneticRandom Access Memory，磁阻存储器)、RRAM(Resistive Random Access Memory，阻变存储器)、XPoint存储器等是常见的NVM。NVM中存储的数据会在一定程度上出现损坏，为克服此类问题，通常在访问NVM时，通过错误校正码(Error Correction Code，ECC)对NVM上存储的数据进行保护。常用的错误校正码包括BCH码、LDPC、RS码等。

接口103可适配于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe、SAS、以太网、光纤通道等方式与主机交换数据。

控制部件104用于控制在接口103、NVM芯片105以及DRAM 110之间的数据传输，还用于存储管理、主机逻辑地址到闪存物理地址映射、擦除均衡、坏块管理等。控制部件104可通过软件、硬件、固件或其组合的多种方式实现，例如，控制部件104可以是FPGA(Field-programmable gate array，现场可编程门阵列)、ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，应用专用集成电路)或者其组合的形式。控制部件104也可以包括处理器或者控制器，在处理器或控制器中执行软件来操纵控制部件104的硬件来处理IO(Input/Output)命令。控制部件104还可以耦合到DRAM 110，并可访问DRAM 110的数据。在DRAM可存储FTL表和/或缓存的IO命令的数据。

控制部件104包括介质接口控制器(或称为闪存接口控制器、闪存通道控制器)，介质接口控制器耦合到NVM芯片105，并以遵循NVM芯片105的接口协议的方式向NVM芯片105发出命令，以操作NVM芯片105，并接收从NVM芯片105输出的命令执行结果。已知的NVM芯片接口协议包括“Toggle”、“ONFI”等。