[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成辅助层；

形成贯穿所述辅助层的通孔；

在所述通孔中和辅助层上形成磁隧道结叠膜结构，所述磁隧道结叠膜结构位于所述通孔底部的部分作为叠膜底部；

去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构；

去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构后，去除所述辅助层，剩余所述磁隧道结叠膜结构用于形成磁隧道结叠层结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁隧道结叠膜结构位于所述通孔侧壁与所述叠膜底部相连的部分作为牺牲侧部；

去除所述辅助层，暴露出所述牺牲侧部的侧壁；

所述半导体结构的形成方法还包括：在去除所述辅助层后，对所述牺牲侧部的侧壁进行刻蚀，剩余所述磁隧道结叠膜结构用于形成所述磁隧道结叠层结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述磁隧道结叠膜结构的步骤中，沿垂直于所述基底表面的方向，所述叠膜底部的厚度为第一厚度，沿垂直于所述通孔侧壁的方向，所述牺牲侧部的厚度为第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二厚度是所述第一厚度的1％至20％。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲侧部的侧壁进行刻蚀的工艺包括：离子束刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或几种。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述磁隧道结叠膜结构的步骤中，所述磁隧道结叠膜结构包括磁隧道结叠膜和位于所述磁隧道结叠膜上的掩膜层；所述掩膜层为介质硬掩膜层，或者，所述掩膜层为顶电极层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁隧道结叠膜结构包括磁隧道结叠膜，所述叠膜底部中磁隧道结叠膜的厚度为目标厚度；

形成所述辅助层的步骤中，所述辅助层的厚度大于或等于所述目标厚度。

8.如权利要求1或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述磁隧道结叠膜结构的步骤中，所述叠膜底部的顶面低于所述辅助层的顶面；

去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构的步骤中，去除高于所述叠膜底部顶面的所述辅助层和磁隧道结叠膜结构。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述辅助层的步骤中，所述辅助层的厚度是所述目标厚度的1倍至5倍。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构的工艺包括：化学机械平坦化工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述辅助层的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺、脉冲激光束沉积工艺和旋涂工艺中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用刻蚀工艺，形成所述通孔；所述刻蚀工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述磁隧道结叠膜结构的工艺包括物理气相沉积工艺。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述辅助层的工艺包括：离子束刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或几种。