[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底以及位于所述半导体基底上的层间介质层；

在所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层的接触结构；

部分刻蚀所述接触结构使所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面；

在所述接触结构表面形成保护层，所述保护层的顶面低于所述层间介质层的顶面。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述接触结构表面形成保护层的方法包括：

部分刻蚀所述接触结构使所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面后所述层间介质层中形成暴露所述接触结构的沟槽；

采用化学气相沉积工艺在所述层间介质层表面，沟槽侧壁以及表面沉积保护材料层，所述化学气相沉积工艺的反应温度为450摄氏度至600摄氏度；

所述接触结构表面的保护材料层与所述接触结构原位形成所述保护层；

刻蚀去除所述层间介质层表面以及沟槽侧壁的保护材料层，其中，所述刻蚀工艺的刻蚀气体包括所述化学气相沉积工艺的反应气体中的一种。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触结构的材料包括钴，所述保护层的材料包括钛钴合金。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的反应气体包括四氯化钛和氢气；所述刻蚀工艺的刻蚀气体包括四氯化钛。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述接触结构表面形成保护层的方法包括：等离子体增强化学气相沉积工艺。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺在所述层间介质层表面，沟槽侧壁以及表面沉积保护材料层的方法包括：打开射频，通入四氯化钛和氢气，所述四氯化钛和氢气反应生成钛金属，所述钛金属沉积在所述层间介质层表面，沟槽侧壁以及表面形成保护材料层。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述层间介质层表面以及沟槽侧壁的保护材料层的方法包括：关闭射频，停止通入氢气，继续通入所述四氯化钛，所述四氯化钛与钛金属反应去除所述保护材料层。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底以及与所述半导体衬底一体的鳍片，所述鳍片表面形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极和漏极。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面2纳米至20纳米。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底上形成有层间介质层；

接触结构，位于所述层间介质层中，所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面；

保护层，位于所述接触结构表面，所述保护层的顶面低于所述层间介质层的顶面。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底以及与所述半导体衬底一体的鳍片，所述鳍片表面形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极和漏极。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构的材料包括钴，所述保护层的材料包括钛钴合金。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面2纳米至20纳米。