[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202011048034.X | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112635521A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 郑淳一;安致旭;尹海荣;曹正铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;和
定位在所述基板上的多个像素,
其中每个像素包括:
第一电极,
隔断墙,包括与所述第一电极重叠的第一开口,和
低折射层,包括与所述第一开口重叠的第二开口,
其中,所述多个像素包括:
第一多个像素,在平行于所述基板的上表面的方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第一间隙,
第二多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第二间隙,所述第一间隙和所述第二间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度,并且
其中所述第一多个像素中的至少一个和所述第二多个像素中的至少一个发射彼此相同的颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中
具有所述第一间隙的所述第一多个像素的总数量与具有所述第二间隙的所述第二多个像素的总数量是相同的。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度在0.1μm至2μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中在所述多个像素中的每个像素中,所述第一开口的所述边缘与所述第二开口的所述边缘之间在平行于所述基板的所述上表面的所有方向上的距离是相同的。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上,所述第一开口的长度小于所述第二开口的长度。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述多个像素进一步包括:
第三多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第三间隙,以及
第四多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第四间隙,并且
所述第三间隙和所述第四间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中所述第三间隙和所述第四间隙的所述长度的平均值与所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值是相同的。
8.根据权利要求6所述的显示设备,其中所述多个像素进一步包括:
第五多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第五间隙,以及
第六多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第六间隙,并且
所述第五间隙和所述第六间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中
所述第五间隙和所述第六间隙的所述长度的平均值、所述第三间隙和所述第四间隙的所述长度的平均值以及所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值是相同的。
10.一种显示设备,包括:
基板;以及
定位在所述基板上的多个像素,
其中每个像素包括:
第一电极,
隔断墙,包括与所述第一电极重叠的第一开口,
低折射层,包括与所述第一开口重叠的第二开口,以及
高折射层,定位在所述第二开口中,并且
其中所述多个像素包括:
第一多个像素,在平行于所述基板的上表面的方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第一间隙,
第二多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第二间隙,所述第二间隙具有与所述第一间隙的长度不同的长度,以及
第三多个像素,在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第三间隙,所述第三间隙具有等于所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的