[发明专利]一种基于忆阻器的神经网络容错方法在审
申请号: | 202011049315.7 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112199234A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 吕艺;陈后鹏;陈成;李喜;宋志棠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G06N3/063 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 钱文斌;黄志达 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 神经网络 容错 方法 | ||
1.一种基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在进行神经网络权值矩阵的存储时,以某个电阻状态为目标,读出忆阻器器件电阻以获得存储阵列中的忆阻器电阻的分布;
(2)在进行权重更新时,将神经网络权重矩阵映射至存储阵列,根据权重矩阵进行存储单元映射,通过自适应算法将大的权值映射到缺陷小的忆阻器器件上,完成权重更新,实现神经网络的学习与训练。
2.根据权利要求1所述的基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,所述步骤(1)中读出器件电阻时,将其他的忆阻器保持在高阻态。
3.根据权利要求1所述的基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,所述步骤(2)中通过自适应算法将大的权值映射到缺陷小的忆阻器器件上具体为:将权值大的权重映射到器件缺陷小的忆阻器器件上,并根据权值调整的幅度,将调整幅度大的权重映射到器件缺陷小的忆阻器器件上。
4.根据权利要求3所述的基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,所述器件缺陷包括但不限于阻值漂移、阻值不变和阻值波动。
5.根据权利要求1所述的基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,所述忆阻器为具有存储记忆功能的非易失性存储器器件。
6.根据权利要求1所述的基于忆阻器的神经网络容错方法,其特征在于,所述忆阻器为crossbar阵列结构,所述crossbar阵列结构的一端连接信号输入端,另一端连接信号输出端;所述crossbar阵列结构包括n*m个突触电路,其中,n为所述crossbar阵列结构的行数,m为所述crossbar阵列结构的列数。
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