[发明专利]具有受控超调的高速高带宽垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)，包括：

设置在基板上的台面结构，所述台面结构包括：

第一反射器；

第二反射器，以及

有源腔材料结构，所述有源腔材料结构设置在所述第一反射器和所述第二反射器之间，其中所述第二反射器包括从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。

2.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述预定深度在约20nm至55nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述预定深度在约15nm至25nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的VCSEL，进一步包括设置在所述第二反射器的所述第二表面上的盖层和触点。

5.根据权利要求4所述的VCSEL，其中(a)所述触点定义孔径，(b)所述开口定义开口直径，并且(c)所述孔径与所述开口直径近似相同。

6.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述开口定义与所述第二反射器定义的第二反射器直径近似相同的开口直径。

7.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的光子寿命在约5.5ps和1ps的范围内。

8.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述开口通过蚀刻形成。

9.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的调制带宽为17GHz或更大。

10.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述第一反射器和所述第二反射器中的至少一个包括半导体分布式布拉格反射器(DBR)。

11.一种用于制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)的方法，所述方法包括：

干蚀刻VCSEL毛坯以定义台面结构；

湿蚀刻所述台面结构，以定义发射结构，所述发射结构包括第一反射器、第二反射器，以及夹在所述第一反射器和所述第二反射器之间的有源区域；以及

将开口蚀刻至所述第二反射器中，所述开口从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述第二反射器的所述第二表面上沉积介电盖层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述介电盖层在所述开口蚀刻到所述第二反射器中之前沉积。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述介电盖层在所述开口蚀刻到所述第二反射器中之后沉积。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在所述介电盖层上沉积触点。

16.根据权利要求15所述的方法，其中(a)所述触点定义孔径，(b)所述开口定义开口直径，并且(c)所述孔径与所述开口直径近似相同。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述预定深度在约20nm至55nm的范围内。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述预定深度在约15nm至25nm的范围内。

19.根据权利要求11所述的方法，其中使用湿蚀刻将所述开口蚀刻到所述第二反射器中。

20.一种用于制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)的方法，所述方法包括：

干蚀刻VCSEL毛坯以定义台面结构；以及

湿蚀刻所述台面结构，以定义发射结构，所述发射结构包括第一反射器、第二反射器，以及夹在所述第一反射器和所述第二反射器之间的有源区域，其中所述第二反射器包括从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。