[发明专利]一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011052522.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112234097B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 黄永清;杨丹;刘凯;段晓峰;杜嘉薇;王俊;王琦;任晓敏;蔡世伟 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/10;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 陈征 |
| 地址： | 100876 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 特意 掺杂 iii 半导体 欧姆 接触 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种光通信器件，其包括半导体器件结构；所述半导体器件结构含有衬底及欧姆接触结构；其特征在于，所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III-V族半导体层，及其表面的氧化镍层；
所述非特意掺杂III-V族半导体层的材料为GaAs、InGaAs、InGaAsP、AlGaAs或InAlGaAs；
所述氧化镍层为厚度50-100nm的透明导电薄膜；
所述欧姆接触结构的制备方法，包括：
S1、在衬底表面形成非特意掺杂III-V族半导体层；
所述衬底为半绝缘的磷化铟；
所述非特意掺杂III-V族半导体层是通过MOCVD法或MBE法形成的；生长温度保持在650-660℃；
S2、光刻处理后，在所述非特意掺杂III-V族半导体层表面形成镍金属薄膜；
S3、对所述镍金属薄膜进行热氧化、剥离，形成具有欧姆电极图形的氧化镍层；
所述热氧化的温度为350-550℃；
所述热氧化是在空气氛围中充入氧气进行的，所述氧气的充入流量为2-3L/min。
2.根据权利要求1所述的光通信器件，其特征在于，在所述衬底与所述欧姆接触结构之间还设有p型半导体层或n型半导体层，形成p-i-NiO和n-i-NiO两种结构。
3.根据权利要求2所述的光通信器件，其特征在于，所述光通信器件为半导体激光器、半导体红外光探测器、双极性晶体管。
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