[发明专利]一种超宽带的偏振分光片有效
申请号: | 202011053425.0 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112130340B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 苏炎;李昱;陈居凯 | 申请(专利权)人: | 苏州众为光电有限公司 |
主分类号: | G02B27/28 | 分类号: | G02B27/28;G02B5/30 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 孔凡玲 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 偏振 分光 | ||
1.一种超宽带的偏振分光片,其特征在于,包括基层和堆叠在基层上的膜系,所述膜系的膜系结构包括三个膜堆,每个所述膜堆均由非四分之一波长光学厚度的高折射率膜层和低折射率膜层交替堆叠;
第一膜堆采用(aHbL)^m的初始结构;第二膜堆采用((aHbL)^p(cHdL)^q)^r的初始结构;第三膜堆采用(cHdL)^n;
或,第一膜堆采用(cHdL)^n的初始结构;第二膜堆采用((aHbL)^p(cHdL)^q)^r的初始结构;第三膜堆采用(aHbL)^m;
或,第一膜堆采用(aHbL)^m的初始结构;第二膜堆采用((cHdL)^q(aHbL)^p)^r的初始结构;第三膜堆采用(cHdL)^n;
或,第一膜堆采用(cHdL)^n的初始结构;第二膜堆采用((cHdL)^q(aHbL)^p)^r的初始结构;第三膜堆采用(aHbL)^m;
其中,m为aHbL的序列重复交替堆叠的组数,r为(aHbL)^p(cHdL)^q的序列重复交替堆叠的组数,p为第二膜堆中aHbL的序列重复交替堆叠的组数,q为第二膜堆中cHdL的序列重复交替堆叠的组数,n为cHdL的序列重复交替堆叠的组数;
H表示四分之一中心波长光学厚度的高折射率膜层,L表示四分之一中心波长光学厚度的低折射率膜层;a、b、c、d为四分之一中心波长光学厚度系数;
所述四分之一中心波长光学厚度系数a和b所在的范围为0.8至0.96,a和b为相等或不相等;
所述四分之一中心波长光学厚度系数c和d所在的范围为1.04至1.2,c和d为相等或不相等。
2.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述第一膜堆与第三膜堆的顺序可调换。
3.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,m、p、q、r均大于1。
4.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述高折射率膜层的材料为Ta2O5、Nb2O5、TiO2中的至少之一,所述高折射率膜层的折射率在1550nm的范围为1.85至2.5。
5.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述低折射率膜层的材料为SiO2、Al2O3、MgF2中的至少之一,所述低折射率膜层的折射率在1550nm的范围为1.38至1.6。
6.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述基层为二氧化硅材料或硅材料基片,基层的折射率在1550nm的范围为1.45至3.5。
7.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述偏振分光片的P偏振的透过率大于等于百分之九十的波段范围的宽度大于等于中心波长的百分之十,或P偏振的半峰全宽大于等于中心波长的百分之十。
8.如权利要求1的超宽带的偏振分光片,其特征在于,所述偏振分光片的S偏振的透过率小于百分之十的波段范围大于中心波长的百分之十。
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