[发明专利]一种切片单晶硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，先将硅片用激光沿着垂直于硅片拉丝线痕方向的中心线进行切割，然后将硅片裂开，得到半片硅片，再将半片硅片制作成成品电池。

2.根据权利要求1所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的激光为低功率开模激光。

3.根据权利要求2所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的激光功率为4-6W，所述的激光切割的光斑大小为5-50μm，激光切割线位于中心线位置的±200μm内，硅片裂开采用机械裂片、热激光裂片或热应力裂片。

4.根据权利要求1所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的成品电池为p型衬底的晶体硅太阳电池或n型衬底的晶体硅太阳电池。

5.根据权利要求4所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的成品电池为PERC太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、磷扩散、激光选择性发射极、热氧化、背面清洗、抛光、热氧化、背表面AlOx钝化、背表面SiNx沉积、前表面SiNx沉积、丝网印刷、退火、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到PERC太阳电池。

6.根据权利要求5所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的PERC太阳电池包括PERC电池p型硅基底(4)，在PERC电池p型硅基底(4)正面由内而外依次沉积有磷扩散发射极(3)和PERC电池减反射膜(2)，PERC电池前电极(1)穿过PERC电池减反射膜(2)连接第一磷扩散发射极(3)，在PERC电池p型硅基底(4)反面由内而外依次沉积有PERC电池背面第一钝化层(5)和PERC电池背面第二钝化层(6)，PERC电池背面电极(7)连接PERC电池背面第二钝化层(6)。

7.根据权利要求4所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的成品电池为TOPCon太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、硼扩散、背面清洗、去背面p-n结、氧化、背面LPCVD沉积poly-Si薄膜、poly-Sin型掺杂、湿法清洗、前后表面介质膜钝化和减反射膜沉积、丝网印刷、烧结、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到TOPCon太阳电池。

8.根据权利要求7所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的TOPCon太阳电池包括TOPCon太阳电池n型硅基底(11)，在TOPCon太阳电池n型硅基底正面由内而外依次沉积有第二磷扩散发射极(10)和TOPCon太阳电池减反射膜(9)，TOPCon太阳电池前电极(8)穿过TOPCon太阳电池减反射膜(9)后连接第二磷扩散发射极(10)，在TOPCon太阳电池n型硅基底背面由内而外依次沉积有隧穿氧化层(12)、磷掺杂多晶硅薄膜(13)和背面SiNx:H薄膜(14)，TOPCon太阳电池背面电极(15)穿过背面SiNx:H薄膜(14)后连接磷掺杂多晶硅薄膜(13)。

9.根据权利要求4所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的成品电池为HIT太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、PECVD生长前后表面本征非晶硅层和掺杂非晶硅层、前后TCO导电膜沉积、丝网印刷、烧结、退火、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到HIT太阳电池。

10.根据权利要求9所述的一种切片单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述的HIT太阳电池包括HIT太阳电池n型硅基底(20)，在HIT太阳电池n型硅基底(20)正面由内而外依次沉积有前表面本征非晶硅层(19)、p型非晶硅层(18)和前表面氧化透明导电层(17)，HIT太阳电池前电极(16)连接前表面氧化透明导电层(17)，HIT太阳电池n型硅基底(20)背面由内而外依次沉积有背表面本征非晶硅层(21)、n型非晶硅层(22)和背表面氧化透明导电层(23)，HIT太阳电池背面电极(24)连接背表面氧化透明导电层(23)。