[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011055185.8 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112436014A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11553;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/1158;H01L27/11582;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 崔龙铉;张澜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
单元堆叠结构；
第一沟道层，穿透所述单元堆叠结构；
上部堆叠结构，在所述单元堆叠结构上；以及
第二沟道层，穿透所述上部堆叠结构，
其中所述第二沟道层朝向所述第一沟道层的中央区域延伸并且接触所述第一沟道层的上部内壁。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
在所述第二沟道层的中央区域中的芯绝缘层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二沟道层的直径小于所述第一沟道层的直径。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
包围所述第一沟道层的多层衬垫层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述上部堆叠结构包括漏极选择线。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述单元堆叠结构包括字线。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述漏极选择线的厚度比所述字线的厚度厚。
8.一种半导体装置，包括：
单元堆叠结构；
第一沟道层，穿透所述单元堆叠结构；
上部堆叠结构，在所述单元堆叠结构上；以及
第二沟道层，穿透所述上部堆叠结构，
其中所述第二沟道层的下部的直径小于所述第一沟道层的直径。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第二沟道层朝向所述第一沟道层的中央区域延伸并且接触所述第一沟道层的上部内壁。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，进一步包括：
在所述第二沟道层的中央区域中的芯绝缘层。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述上部堆叠结构包括漏极选择线，并且
其中所述单元堆叠结构包括字线。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，进一步包括：
穿透所述漏极选择线的上部缝隙；以及
穿透所述字线的缝隙，
其中所述上部缝隙的宽度比所述缝隙的宽度窄。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述上部缝隙形成为波形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
