[发明专利]存储器设备及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

堆叠结构，具有在所述堆叠结构中的单元区域和缩减区域，并且通过交替地堆叠绝缘层和导电层而形成；

垂直沟道结构，被形成为穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；

支撑结构，被形成为穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，并且具有不同的高度，所述不同的高度取决于所述缩减区域的堆叠高度，所述支撑结构中的每个支撑结构具有所述垂直沟道结构；

防蚀刻层，形成在所述堆叠结构之上并且包括碳；以及

接触插塞，被形成为穿过所述防蚀刻层并且被耦合到所述导电层。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述防蚀刻层由SiCN层形成。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述接触插塞包括：

形成在所述单元区域中的单元接触插塞；以及

形成在所述缩减区域中的缩减接触插塞。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括：

形成在所述单元接触插塞之上的位线；以及

形成在所述缩减接触插塞之上的金属线。

5.一种制造存储器设备的方法，包括：

在单元区域和缩减区域中交替地堆叠绝缘层和导电层，以及在所述缩减区域中形成具有阶梯结构的堆叠结构；

沿着所述堆叠结构的上表面形成包括碳的防蚀刻层；

在所述防蚀刻层之上形成层间绝缘层；

执行形成接触孔的第一蚀刻工艺，所述接触孔用于在所述层间绝缘层的所述单元区域和所述缩减区域中暴露所述防蚀刻层的部分；

执行去除通过所述接触孔而被暴露的所述防蚀刻层的第二蚀刻工艺；以及

在所述接触孔中形成接触插塞。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述堆叠结构包括：

在基底上交替地堆叠绝缘层和牺牲层；

同时地形成垂直沟道结构和支撑结构，所述垂直沟道结构垂直地穿过堆叠在所述单元区域中的所述绝缘层和所述牺牲层，所述支撑结构垂直地穿过堆叠在所述缩减区域中的所述绝缘层和所述牺牲层；

通过在垂直方向上蚀刻所述支撑结构之间的所述绝缘层和所述牺牲层，来形成用于暴露所述牺牲层的沟槽；

执行去除通过所述沟槽而被暴露的所述牺牲层的第三蚀刻工艺；

在所述牺牲层被去除的所述绝缘层之间形成所述导电层；以及

利用绝缘层填充所述沟槽的内部。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所述绝缘层中的每个绝缘层和所述绝缘层由氧化物层形成，

其中所述牺牲层中的每个牺牲层由氮化物层形成，以及

其中所述导电层由多晶硅、钨或钼形成。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三蚀刻工艺包括湿蚀刻工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其中使用磷酸作为蚀刻剂来执行所述湿蚀刻工艺。

10.根据权利要求5所述的方法，其中所述防蚀刻层由SiCN层形成。

11.根据权利要求5所述的方法，其中所述层间绝缘层由氧化物层形成。

12.根据权利要求5所述的方法，其中所述防蚀刻层具有被包括在所述堆叠结构中的所述导电层中的任何一个导电层的厚度。

13.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺中的每个蚀刻工艺包括各向异性蚀刻工艺。

14.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述接触插塞包括：

沿着所述接触孔中的每个接触孔的内表面形成阻挡层；以及

利用导电层填充设置有所述阻挡层的所述接触孔中的每个接触孔的内部，并且形成各自包括所述阻挡层和所述导电层的所述接触插塞。