[发明专利]一种三维双模态电阻抗成像传感器及制造方法

权利要求书

1.一种三维双模态电阻抗成像传感器，其特征在于：包括半球形传感器支撑，电容传感器和电阻传感器，所述电容传感器设置于所述半球形传感器支撑上，所述电阻传感器与所述电容传感器扣接，所述电容传感器包括若干个电极块，所述电极块即为电容极板，用于介电常数的测量，所述电容极板中心设置有圆形焊盘，所述圆形焊盘与所述电容极板之间绝缘，所述电阻传感器包括电阻测量电极，所述电阻测量电极采用电极扣，用于电导率测量，所述电极扣通过所述圆形焊盘与所述半球形传感器支撑和所述电容极板扣接，在所述半球形传感器支撑外侧附着柔性PCB电路板，所述电极扣穿过所述电容极板中心的所述圆形焊盘并扣紧，使所述电极扣与所述柔性PCB电路板和所述半球形传感器支撑紧密扣接；

所述三维双模态电阻抗成像传感器的制造方法，包括以下步骤：

S1、构建半球形传感器支撑，在所述半球形传感器支撑外侧附着柔性PCB电路板；

S2、在所述S1中的柔性PCB电路板内表面进行铺铜，并进行分割，获得电容测量极板，在外表面进行铺铜，用于信号屏蔽；

S3、在所述电容极板上设置所述圆形焊盘，所述圆形焊盘与电极扣连接，获得电阻传感器。

2.根据权利要求1所述的三维双模态电阻抗成像传感器的制造方法，其特征在于：所述S1中以所述半球形传感器支撑的顶点为中心进行分割。

3.根据权利要求1所述的三维双模态电阻抗成像传感器的制造方法，其特征在于：所述S2中采用有限元仿真优化所述电容极板的位置、形状和个数。

4.根据权利要求3所述的三维双模态电阻抗成像传感器的制造方法，其特征在于：根据所述电容极板优化结果进行电极扣的位置和个数优化。