[发明专利]一种显示面板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 202011055513.4 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112186016B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 胡春静;崔颖;孙力;代青;张月 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板上划分有呈阵列排布的多个亚像素区域,所述多个亚像素区域包括蓝色亚像素区域、绿色亚像素区域和红色亚像素区域;
位于所述衬底基板上的像素界定结构,所述像素界定结构在各亚像素区域对应位置处开设有开口,且所述像素界定结构在相邻两列亚像素区域之间的位置设有沟槽结构,其中,所述像素界定结构包括第一挡墙、第二挡墙、第三挡墙和第四挡墙,所述第一挡墙设置在各蓝色亚像素区域沿第一方向延伸的边缘,所述第二挡墙设置在各绿色亚像素区域和各红色亚像素区域沿所述第一方向延伸的边缘,以及所述第二挡墙设置在所述绿色亚像素区域与所述红色亚像素区域之间的区域,所述第三挡墙设置在各蓝色亚像素区域沿第二方向延伸的边缘,所述第四挡墙设置在相邻两个所述第三挡墙之间的区域,其中,所述第一挡墙由亲疏液性可调的第一材料制成,所述第二挡墙由亲液性材料制成,所述第三挡墙由疏液性材料制成,所述第四挡墙由亲疏液性可调且与所述第一材料不同的第二材料制成;
位于所述像素界定结构上的第一有机发光层,所述第一有机发光层被所述第一挡墙和所述第三挡墙隔断,且通过所述第二挡墙、所述第四挡墙和所述沟槽结构在各绿色亚像素区域和各红色亚像素区域之间导通。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述像素界定结构上的第二有机发光层,所述第二有机发光层被所述第三挡墙和所述第四挡墙隔断,通过所述沟槽结构和所述第一挡墙结构在各蓝色亚像素区域之间导通。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一挡墙、所述第二挡墙和所述第四挡墙的高度相等,且均小于所述第三挡墙的高度。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述像素界定结构和所述第一有机发光层之间的第一辅助功能层,所述第一辅助功能层被所述第三挡墙隔断,通过所述沟槽结构、所述第一挡墙、所述第四挡墙和所述第二挡墙在各亚像素区域之间导通。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一辅助功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述沟槽结构为通槽结构,或者,所述沟槽结构为凹槽结构。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一材料为温敏高分子材料,所述第二材料为光敏材料;或者,所述第一材料为光敏材料,所述第二材料为温敏高分子材料。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各亚像素区域为矩形区域,所述第一方向为沿各亚像素区域的长边方向延伸的方向,所述第二方向为沿各亚像素区域的短边方向延伸的方向。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各个蓝色亚像素区域的面积大于各个绿色亚像素区域的面积,各个绿色亚像素区域的面积大于各个红色亚像素区域的面积。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
11.一种如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
采用构图工艺在衬底基板上形成像素界定结构的开口、沟槽结构、第一挡墙、第二挡墙、第三挡墙和第四挡墙;
将所述第一挡墙调整为具有疏液性,采用喷墨打印工艺在各绿色亚像素区域和各红色亚像素区域打印黄色墨水,在所述第一挡墙和所述第三挡墙的隔断作用下,通过所述第二挡墙、所述第四挡墙和所述沟槽结构形成在各绿色亚像素区域和各红色亚像素区域之间导通的第一有机发光层。
12.如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述第一挡墙的初始状态为具有亲液性,所述将所述第一挡墙调整为具有疏液性,包括:对所述衬底基板进行加热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的