[发明专利]一种覆层、具有该覆层的金属磁体及该覆层的制备方法

权利要求书

1.一种覆层的制备方法，其特征在于，所述覆层覆于金属磁体表面，其沿远离金属磁体方向依次包括金属膜层、金属膜氧化层和绝缘层；所述金属膜层包括Al、Zn、Ti、Sm、Co、Ho、Cu、Zr中的至少两种元素；具体制备步骤为：

（1）先在金属磁体表面进行真空镀膜，制备金属膜层；

（2）向（1）步骤中的真空环境中充入氧气至真空度为10-10⁵ pa，对覆有金属膜层的金属磁体进行氧化10-60分钟；将氧化后的金属磁体置入硫酸溶液中进行钝化，形成金属膜氧化层；

（3）最后在（2）步骤得到的金属膜氧化层表面附着绝缘层；绝缘层涂覆之后进行多次升温烘烤，其中首次烘烤温度低于100 ℃，时间不低于10分钟。

2.根据权利要求1所述的一种覆层的制备方法，其特征在于，所述金属膜氧化层的厚度为0.1-1 μm。

3.根据权利要求1所述的一种覆层的制备方法，其特征在于，所述（1）步骤中真空镀膜的具体步骤为：

1）将金属磁体置于真空镀膜设备中进行加热至50 ℃以上，并将真空镀膜设备进行抽真空至气压在1*10^-3 pa以下；

2）采用多弧离子镀膜或磁控溅射镀膜进行真空镀膜，控制膜层厚度为1-20 μm。

4.根据权利要求1所述的一种覆层的制备方法，其特征在于，所述（3）步骤中表面涂覆的具体步骤为：

1）对形成金属膜氧化层的金属磁体进行除尘；

2）通过空气喷涂或粉末静电喷涂或电泳的方式进行绝缘层的涂覆；

3）先将步骤2）得到的物料升温至70-90 ℃烘烤10-50分钟，再将温度升至100-120 ℃烘烤10-50分钟，最后将温度升至180-210 ℃并烘烤30-50分钟；

4）将烘烤后物料进行冷却至20-30 ℃。

5.一种覆层，所述覆层由权利要求1~4任一项所述的制备方法制备得到，其特征在于，所述金属膜层为纳米金属复合膜层。

6.根据权利要求5所述的一种覆层，其特征在于，所述绝缘层成分为环氧树脂类涂层或涂料、丙烯酸树脂类涂层或涂料、聚氨酯树脂类涂层或涂料中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的一种覆层，其特征在于，所述绝缘层包括硫酸钡、二氧化硅、2-丁氧基乙醇、炭黑、丙二醇甲醚、二甲基乙醇胺、无机颜填料、改性树脂。

8.根据权利要求5所述的一种覆层，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5-40 μm。

9.根据权利要求5所述的一种覆层，其特征在于，所述金属磁体为铝镍钴系磁体、铁铬钴系磁体、铁氧体、稀土钴磁体、钕铁硼磁体中的一种或多种。

10.一种金属磁体，其特征在于，其表面覆有如权利要求5-9任一项所述的覆层。