[发明专利]一种宽频率范围的单子带压控振荡器有效
申请号: | 202011055837.8 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112187179B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 王三路;吴昊谦 | 申请(专利权)人: | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽频 范围 单子 压控振荡器 | ||
1.一种宽频率范围的单子带压控振荡器,其特征在于:包括5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)、4GHz定频压控振荡器VCO(2)、混频器Mixer(3)和输出缓冲器Buffer(4);
所述5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分输出端与所述混频器Mixer(3)的一对差分输入端相连接,所述4GHz定频压控振荡器VCO(2)的差分输出端与所述混频器Mixer(3)的另一对差分输入端相连接,所述混频器Mixer(3)的差分输出端与所述输出缓冲器Buffer(4)的差分输入端相连接,输出信号最终从输出缓冲器Buffer(4)的差分输出端输出;
其中,所述5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)采用互补型交叉耦合结构,包括9个晶体管、1个电感、6个电阻、6个电容和4个变容二极管;其中的9个晶体管分别为第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8和第九晶体管M9;其中的1个电感为第一电感L1;其中的6个电阻分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6;其中的6个电容分别为第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6;其中的4个变容二极管分别为第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4;
所述第一电感L1、第七电容C7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4共同构成5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的谐振网络;所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4采用并联结构;所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4作为负阻,补偿谐振网络的阻抗损耗;所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4作为偏置电阻;所述第五晶体管M5作为尾电流管,所述第五电容C5、第五电阻R5、第六晶体管M6、第七晶体管M7共同构成5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分第一路缓冲电路,所述第六电容C6、第六电阻R6、第八晶体管M8、第九晶体管M9共同构成5GHz~6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分第二路缓冲电路。
2.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器,其特征在于,所述4GHz定频压控振荡器VCO(2)采用互补型交叉耦合结构,包括5个晶体管、1个电感和1个电容;其中的5个晶体管分别为第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13和第十四晶体管M14;其中的1个电感为第二电感L2;其中的1个电容为第八电容C8。
3.如权利要求2所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器,其特征在于,所述第二电感L2、第八电容C8共同构成4GHz定频压控振荡器VCO(2)的谐振网络;所述第二电感L2的一端作为4GHz定频压控振荡器VCO(2)的射频输出端口RF_OP,所述第二电感L2的另一端作为4GHz定频压控振荡器VCO(2)的射频输出端口RF_ON;所述第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13作为负阻,所述第十四晶体管M14作为尾电流管。
4.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器,其特征在于,所述混频器Mixer(3)采用吉尔伯特双平衡混频器结构,包括7个晶体管,4个电阻,2个电容,1个电感;其中的7个晶体管分别为第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第二十晶体管M20和第二十一晶体管M21;其中的4个电阻分别为第七电阻R7、第八电阻R8第九电阻R9和第十电阻R10;其中的2个电容分别为第九电容C9和第十电容C10;其中的1个电感为第三电感L3。
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