[发明专利]一种掺杂Eu2+ 在审
申请号: | 202011056026.X | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112094645A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 夏志国;杨至雨 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C09K11/71 | 分类号: | C09K11/71;H01L33/50 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 eu base sup | ||
本发明公开一种掺杂Eu2+的蓝光荧光材料及其制备方法和白光LED发光装置,属于发光材料技术领域。其化学组成式为RbBaBP2O8:xEu2+,其中0.01≤x≤0.10。此外,还公开了实现蓝光荧光粉的制备方法。本发明的新型蓝光荧光粉物相单一,具有优异的热稳定,在200℃时荧光还能保持原始强度的80.6%,发光亮度高、温度猝灭特性良好、激发和发射范围较宽。并且荧光粉制备方法简单,易于操作,无污染且原材料便宜。本发明的蓝光荧光粉与现商用红光和绿光荧光粉组合制作的暖白光LED发光亮度高、化学稳定性性良好、激发和发射范围较宽。同时具有显色性能好、能量转换率高、色温均匀性好,能够满足照明领域的需求。
技术领域
本发明属于无机发光材料技术范畴,尤其涉及一种掺杂Eu2+的蓝光荧光材料及其制备方法和白光LED发光装置。
背景技术
当前,LED是基于半导体技术作为新型的固态光源,因其具有节能、环保,安全等优良特性,将白炽灯等耗电的传统光源替换为节能的LED灯,被认为是全球降低电能消耗的重要一步,并在照明和显示领域已经得到了广泛的应用。
在照明领域,作为白光LED合成所需的红、绿、蓝三基色荧光粉大都是稀土或过渡金属掺杂的,此类发光主要取决于激活剂在基质中合适位点的占据而产生发光。蓝光发射的荧光粉基于紫外光芯片实现白光LED器件亦可用于固态照明行业,因此对于新型蓝色荧光粉的探索仍是势在必行。典型的PC-WLED通常是由蓝色(460nm)与黄色YAG荧光粉(Y3Al5O1:Ce3+)在GaN芯片中组合而成。这种PC-WLED很容易受到影响,并且显色指数(Ra75)和相关的颜色温度(CCT4500K),由于在长波长区域没有红光成分,导致寒冷白光。为了克服这一缺陷,实现高质量暖白照明的另一种方法是将近紫外(n-UV;380-420nm)LED芯片与三色(红、蓝和绿色)荧光粉。因此,具有优异热稳定性的高效三色荧光粉材料是不可缺少的。研发新型蓝光材料,是得到能够与LED芯片相匹配的发光材料的现阶段面临的重要课题。因此,宽带蓝色荧光粉是一种很有前途的荧光粉,并结合低成本策略实现蓝光发射,这对于相关发光材料和发光装置的发展具有重要的意义。(Chem.Mater.2018,30,7,2389–2399)
目前,应用于白光LED的荧光粉主要有两大体系,即掺杂荧光粉和无掺杂两大类。掺杂荧光粉包括常见的稀土Ce3+、Eu2+、Eu3+、Bi3+掺杂和过度金属Cr3+、Ni2+、Mn2+、Mn4+掺杂;无掺杂荧光粉包括常见的钨酸盐、钒酸盐等。稀土掺杂的荧光粉表现较强的发光性能,特别是Eu2+,具有f-d电子构型,由于其宽的激发/发射带被认为是良好的激活剂。同时,伴随优异的热稳定性材料的发现,是提升白光LED器件性能的重要手段。
发明内容
本发明目的之一是提出一种稀土Eu2+掺杂的新型发光材料的合成。新型基质通过稀土掺杂,在还原气氛下,通过较低的煅烧温度合成蓝色发光材料。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
本发明所合成的新型荧光粉以磷酸盐为基质,以二价Eu为激活剂,本发明所提供的蓝光荧光材料的化学通式是RbBaBP2O8:xEu2+,0.01≤x≤0.10。
本发明所提供的新型发光材料RbBaBP2O8:xEu2+的制备方法包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011056026.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化学需氧量检测装置
- 下一篇:一种薄壁零件的加工工装
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>网状埋层扩散抛光片
- 零50电力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>专用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印输出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>图像的方法
- 在硅晶片上制备n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型结构的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的测定方法
- 五环[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚体的合成方法
- 含烟包装袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>离子的含量测定方法
- <base:Sup>68