[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

说明书

本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定另一种电位。在生成等离子体的状态下，第1电极及第2电极各自的电位从一种电位切换成另一种电位。

技术领域

本发明的例示性实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术

在对基板的等离子体处理中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室及基板支撑器。基板支撑器构成为在腔室内支撑基板。在基板支撑器上搭载有边缘环。基板配置于由边缘环包围的区域内。边缘环有时被称为聚焦环。

基板支撑器有时具有构成为保持边缘环的静电卡盘。构成为保持边缘环的静电卡盘是双极型静电卡盘，具备两个电极。具有这种静电卡盘的等离子体处理装置记载于日本特开2016-122740号公报中。

发明内容

本发明提供一种抑制放电的技术，该放电有可能在为了保持边缘环而切换设定于静电卡盘的两个电极的电位时产生于边缘环与基板之间。

在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、一个以上的电源、高频电源、偏置电源及控制部。基板支撑器构成为在腔室内支撑基板。基板支撑器具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘具有第1电极及第2电极。静电卡盘构成为通过静电力保持边缘环，该静电力根据分别设定于第1电极及第2电极的电位产生。一个以上的电源与第1电极及第2电极电连接。高频电源构成为供应高频电力以在腔室内生成等离子体。偏置电源构成为向下部电极供应偏置电力。控制部构成为控制一个以上的电源、高频电源及偏置电源。控制部控制高频电源及偏置电源，以对载置于基板支撑器上的基板执行第1等离子体处理。控制部控制一个以上的电源，以将第1等离子体处理的执行期间内的第1电极的电位及第2电极的电位分别设定为彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。控制部控制高频电源及偏置电源，以对载置于基板支撑器上的基板执行第2等离子体处理。控制部将第2等离子体处理的执行期间内的高频电力或偏置电力中的至少一种电力的有效值设定为与第1等离子体处理的执行期间内的该至少一种电力的有效值不同的值。控制部控制一个以上的电源，以将第2等离子体处理的执行期间内的第1电极的电位及第2电极的电位分别设定为彼此相同的电位及彼此不同的电位中的另一种电位。控制部控制一个以上的电源，以在切换期间在腔室内生成等离子体的状态下，将第1电极及第2电极各自的电位从上述一种电位切换成上述另一种电位。切换期间是第1等离子体处理的执行期间与第2等离子体处理的执行期间之间的期间。

根据一例示性实施方式，能够抑制放电，该放电有可能在为了保持边缘环而切换设定于静电卡盘的两个电极的电位时产生于边缘环与基板之间。

附图说明

图1是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的基板支撑器的局部放大剖视图。

图3是表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的静电卡盘上的第1电极及第2电极的例示性布局的俯视图。

图4是一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。

图5是与一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法相关的一例的时序图。

图6的(a)是一例的基板的局部放大剖视图，图6的(b)是执行工序ST1之后的一例的基板的局部放大剖视图，图6的(c)是执行工序ST2之后的一例的基板的局部放大剖视图。

图7是与一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法相关的另一例的时序图。

图8的(a)及图8的(b)是与一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法相关的又一例的时序图。