[发明专利]提升器件关键尺寸面内均一性的方法有效
| 申请号： | 202011056562.X | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112180690B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 黄正;李斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 器件 关键 尺寸 均一 方法 | ||
1.一种提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，包括：
S1：提供一第一光罩，获得所述第一光罩对应的光刻机的曝光程式补偿数据；
S2：提供一第二光罩，所述第二光罩为新出版的光罩；
S3：量测所述第一光罩和所述第二光罩上的对应的位置的图形尺寸，并计算所述第一光罩与所述第二光罩之间对应的位置的图形尺寸的差；以及
S4：根据所述第一光罩对应的光刻机的曝光程式补偿数据和所述第一光罩与所述第二光罩之间对应的位置的图形尺寸的差得到所述第二光罩对应的光刻机的曝光程式的预补偿数据；
其中步骤S1中通过获得采用所述第一光罩进行光刻曝光并刻蚀后的最终的关键尺寸数据，然后根据获得的最终的关键尺寸数据获得所述第一光罩对应的光刻机的曝光程式补偿数据。
2.根据权利要求1所述的提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，所述第一光罩为已经在半导体制造工艺中使用的光罩。
3.根据权利要求1所述的提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，步骤S2中还包括在第二光罩上标记量测点标记，并第二光罩上的量测点标记与第一光罩上的量测点标记一一对应。
4.根据权利要求3所述的提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，步骤S3为量测所述第一光罩和所述第二光罩之间对应的量测点标记处的图形尺寸，并计算所述第一光罩与所述第二光罩之间对应的量测点标记处的图形尺寸的差。
5.根据权利要求4所述的提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，量测点标记处的图形尺寸通过量测量测点标记处的线条的宽度获得。
6.根据权利要求1所述的提升器件关键尺寸面内均一性的方法，其特征在于，S5：获得采用所述第二光罩进行光刻曝光并刻蚀后的最终的关键尺寸数据，然后根据获得的最终的关键尺寸数据进一步对所述第二光罩对应的光刻机的曝光程式进行补偿。
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