[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基体(10)，所述半导体基体(10)包括衬底(12)和隔离结构(13)，所述隔离结构(13)位于所述衬底(12)的上方，所述隔离结构(13)用于隔离多个有源区(11)，所述有源区(11)的部分由所述衬底(12)形成；

位线(20)，所述位线(20)位于所述衬底(12)内，所述位线(20)与所述有源区(11)相连接；

字线(30)，所述字线(30)与所述有源区(11)相交，且所述字线(30)环绕所述有源区(11)；

其中，所述衬底(12)为SOI衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底(12)包括：

第一半导体层(121)；

氧化绝缘层(122)，所述氧化绝缘层(122)位于所述第一半导体层(121)上，所述位线(20)位于所述氧化绝缘层(122)内；

第二半导体层(123)，所述第二半导体层(123)位于所述氧化绝缘层(122)上，所述隔离结构(13)位于所述氧化绝缘层(122)上，且覆盖所述第二半导体层(123)；

其中，所述有源区(11)包括所述第二半导体层(123)。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区(11)包括：

漏极区域(111)，所述漏极区域(111)与所述位线(20)相连接，所述漏极区域(111)的至少部分由外延生长工艺形成；

源区通道(112)，所述源区通道(112)位于所述漏极区域(111)的上方；

源极区域(113)，所述源极区域(113)位于所述源区通道(112)的上方；

其中，所述漏极区域(111)包括所述第二半导体层(123)。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极区域(111)包括：

第一段体(1111)，所述第一段体(1111)的部分由所述第二半导体层(123)形成；

第二段体(1112)，所述第二段体(1112)位于所述第一段体(1111)的上方；

其中，所述第一段体(1111)在第一方向上的厚度大于所述第二段体(1112)在所述第一方向上的厚度，所述第一方向平行于所述衬底(12)。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

栅氧化层(132)，所述栅氧化层(132)覆盖所述第一段体(1111)的顶端、所述第二段体(1112)的侧壁和顶端、所述源区通道(112)的侧壁以及所述源极区域(113)的底端和侧壁；

其中，所述字线(30)与所述源区通道(112)相交，所述字线(30)与所述源区通道(112)之间设置有所述栅氧化层(132)。

6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构(13)包括：

第一绝缘介质层(131)，所述第一绝缘介质层(131)位于所述衬底(12)上，且覆盖所述第一段体(1111)的侧壁；

第二绝缘介质层(133)，所述第二绝缘介质层(133)位于所述第一绝缘介质层(131)上，所述第二段体(1112)、所述源区通道(112)、所述源极区域(113)以及所述字线(30)均位于所述第二绝缘介质层(133)内。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一段体(1111)在所述第一方向上的厚度比所述位线(20)在所述第一方向上的厚度大3nm-10nm；和/或，所述第二段体(1112)在所述第一方向上的厚度大于所述源区通道(112)在所述第一方向上的厚度，所述源极区域(113)在第一方向上的厚度大于所述源区通道(112)在所述第一方向上的厚度。