[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202011057464.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112185968B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 陆聪;郭芳芳;卢绍祥;曾森茂;李昀朋;郝蓓;李俊文 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介电层；
穿过所述堆叠结构的栅线隔槽结构，所述栅线隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面；
所述侧壁包括沿栅线隔槽结构的延伸方向首尾相连的若干子侧壁，相邻的两个所述子侧壁不共面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述子侧壁在所述衬底上的正投影为弧形。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述侧壁在所述衬底上的正投影为波浪形，所述侧壁包括沿栅线隔槽结构的延伸方向首尾相连的凹面和凸面。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括穿过所述堆叠结构的若干沟道结构，至少一个所述沟道结构的一部分位于所述凹面内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述子侧壁在所述衬底上的正投影为线段。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述栅线隔槽结构包括多个子栅线隔槽结构；
多个所述子栅线隔槽结构的延伸方向位于一条直线上，并间隔设置，相邻两个所述子栅线隔槽结构之间电性连接。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括若干所述栅线隔槽结构；
部分所述栅线隔槽结构包括多个子栅线隔槽结构，多个所述子栅线隔槽结构的延伸方向位于一条直线上，并间隔设置，相邻两个所述子栅线隔槽结构之间电性连接；
部分所述栅线隔槽结构贯穿所述堆叠结构。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
