[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器在审
| 申请号： | 202011057546.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335338A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杜永好 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 存储器 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成下电极；
在所述下电极表面形成电容介电层，所述电容介电层包括至少一层氧化锆层；
对所述电容介电层进行微波退火处理，以改变所述氧化锆的晶相至四方晶相；
在所述电容介电层表面形成上电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述微波退火的功率为700-1400W，时间为250-310秒。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在铜室中进行微波退火处理。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，经过微波退火处理过程中，形成包含所述下电极和所述电容介电层的基板的温度不大于400℃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述电容介电层还包括至少一层第一介质层，所述第一介质层与所述氧化锆层层叠设置。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层包含氧化铝层。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述电容介电层包含两层所述氧化锆层和一层所述第一介质层，所述氧化锆层和所述第一介质层间隔层叠设置。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成的每一所述第一介质层的厚度为1-5nm，每一所述氧化锆层的厚度为15-25nm。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
下电极，位于所述基底上；
电容介电层，设置于所述下电极表面，所述电容介电层包括至少一层氧化锆层，所述氧化锆层的氧化锆的晶相为四方晶相；
上电极，设置于所述电容介电层远离所述下电极的表面。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介电层还包括与所述氧化锆层层叠设置的至少一层第一介质层，所述第一介质层的材料包含氧化铝。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介电层包含两层所述氧化锆层和一层所述第一介质层，所述氧化锆层和所述第一介质层间隔层叠设置。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，每一所述第一介质层的厚度为1-5nm，每一所述氧化锆层的厚度为15-25nm。
13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极和所述上电极的材料包含氮化钛。
14.一种存储器，其特征在于，包含由权利要求1-8任一项所述的制造方法制造的半导体结构。
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