[发明专利]存储器控制器及其操作方法在审
申请号: | 202011057959.0 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN113342708A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 严基杓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F12/0871 | 分类号: | G06F12/0871 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵赫;王璇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制器 及其 操作方法 | ||
本公开涉及一种电子装置。存储器控制器控制存储器装置以有效地使用存储器装置的存储空间。控制存储器装置的存储器控制器包括:高速缓存缓冲器,被配置为存储从主机接收到的数据并将数据输出到存储器装置;以及编程模式设置组件,被配置为基于从高速缓存缓冲器输出到存储器装置的数据的大小来确定编程模式,并且根据所确定的编程模式输出地址和命令。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月2日提交的申请号为10-2020-0026228的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储器控制器及其操作方法。
背景技术
存储装置在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据。存储装置可以是将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘中的类型,或是将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的半导体存储器、特别是非易失性存储器中的类型。
存储装置可以包括存储数据的存储器装置和将数据存储在存储器装置中的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EPM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。
发明内容
本公开的实施例提供一种存储器控制器及操作该存储器控制器的方法,其控制存储器装置以有效地使用存储器装置的空间。
根据本公开的实施例的存储器控制器控制存储器装置。该存储器控制器可以包括:高速缓存缓冲器,被配置为存储从主机接收到的数据并将数据输出到存储器装置,以及编程模式设置组件,被配置为基于从高速缓存缓冲器输出到存储器装置的数据的大小来确定编程模式,并且根据所确定的编程模式输出地址和命令。
根据本公开的实施例的操作存储器控制器的方法是操作控制存储器装置的存储器控制器的方法。该方法可以包括:存储从主机接收到的数据,将所存储的数据输出到存储器装置,基于输出到存储器装置的数据的大小确定编程模式,并且根据所确定的编程模式向存储器装置输出地址和命令。
根据本公开的实施例的控制器的操作方法可以包括:控制存储器装置以将数据缓冲在存储器装置中的页面缓冲器中;并且通过在紧接确认命令之前向存储器装置提供地址,根据编程时所缓冲的数据的大小,控制存储器装置以单层单元方法和三层单元方法中的一种来对所缓冲的数据进行编程。
根据本发明的实施例,可以通过根据存储在页面缓冲器中的数据的大小选择待存储数据的区域来有效地使用存储器装置的空间。
附图说明
图1是示出存储装置的框图。
图2是示出诸如图1的存储器装置的结构的示图。
图3是示出诸如图2的存储器单元阵列的实施例的示图。
图4是示出诸如图2的存储器单元阵列根据编程模式被划分的区域的示图。
图5是示出诸如图1的存储器装置的引脚配置的示图。
图6A和图6B是用于描述通过输入/输出线DQ接收到以改变行地址的命令和/或地址的示图。
图7是示出用于基于存储在页面缓冲器中的数据来确定编程模式的存储器控制器的配置的示图。
图8是示出诸如图1的主机、存储器控制器和存储器装置之间的数据传输的示图。
图9A、图9B和图9C是示出基于存储在页面缓冲器中的数据的大小来确定编程模式的方法的示图。
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