[发明专利]一种PCB板液冷散热工艺

权利要求书

1.一种PCB板液冷散热工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；

(b)、提供衬底，在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘，在衬底背面临时键合，将衬底表面减薄使TSV露出，覆盖钝化层，然后抛光使金属露出；

(c)、在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在芯片表面制作RDL和焊盘，解衬底背面的临时键合，在衬底表面做临时键合，将芯片背部的衬底上刻蚀凹槽，使芯片背部露出，得到转接板；

(d)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。

2.如权利要求1所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤（b）具体为：

(b1)、通过光刻，刻蚀工艺在衬底背面制作TSV孔，在衬底背面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作至少一层种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；

(b2)、将衬底背面铜去除，使衬底背面只剩下填铜；

(b3)、在衬底背面制作RDL和焊盘；

(b4)、将衬底背面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底表面，使TSV在衬底表面露头，对其表面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出。

3.如权利要求1所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b)衬底表面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(c)空腔高度为100um～600um。

4.如权利要求2所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b1)TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um；绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um；所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。

5.一种PCB板液冷散热工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；

(b)、提供衬底，在衬底表面制作TSV和焊盘，在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在衬底表面制作RDL，在衬底表面做临时键合，将衬底背面减薄使TSV和芯片背部露出，在衬底背面沉积钝化层，抛光使TSV背面金属露出，并在芯片背面制作RDL和焊盘；

(c)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。

6.如权利要求5所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤（b）具体为：

（b1）在衬底表面制作TSV孔，在衬底表面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；

（b2）将衬底表面铜去除，使衬底表面只剩下填铜；

（b3）在衬底表面刻蚀空腔，将芯片嵌入，并将芯片和空腔之间的缝隙填满，最后在芯片表面制作RDL和焊盘；

（b4）在衬底正面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底背面，使TSV背面露头，并使芯片背面露出，然后对其衬底背面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出，并在衬底背面制作RDL和焊盘。

7.如权利要求5所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b)衬底背面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(b)空腔高度为100um～600um。