[发明专利]一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁及制备方法

权利要求书

1.一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁，其特征在于，所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁由表面复合有含硅层和含重稀土层的磁铁烧结体经扩散热处理得到，所述含重稀土层位于所述含硅层上，所述磁铁烧结体表面的至少一部分被所述含硅层覆盖，所述含硅层表面的至少一部分被所述含重稀土层覆盖，所述含硅层含有硅、二氧化硅及碳化硅中的至少一种，所述含重稀土层含有重稀土氟化物，所述重稀土选自镝、铽和钬中的至少一种，所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁表面至1μm以上深度分布有所述的重稀土，所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁存在氟富集层，所述氟富集层分布在所述稀土烧结磁铁表面至130μm深度范围内。

2.根据权利要求1所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁，其特征在于：所述含硅层的厚度为0.1~20μm。

3.根据权利要求1所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁，其特征在于：所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁以R₂Fe₁₄B型结晶粒作为主相，其中，R是选自包括Y和Sc在内的稀土元素中的至少一种，其中，Nd和/或Pr的含量为R的含量的50wt％以上。

4.根据权利要求3所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁，其特征在于：所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁的成分中包括M，所述M选自Co、Bi、Al、Ca、Mg、O、C、N、Cu、Zn、In、Si、S、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta或W中的至少一种。

5.一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：

a）在磁铁烧结体的表面附着一层含硅层；

b）制备重稀土扩散源；

c）在真空中或惰性气氛中，采用重稀土扩散源对附着了所述含硅层的磁铁烧结体进行扩散热处理；

所述含硅层含有硅、二氧化硅及碳化硅中的至少一种，所述重稀土扩散源含有重稀土氟化物，所述重稀土选自镝、铽和钬中的至少一种，所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁表面至1μm以上深度分布有所述的重稀土，所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁存在氟富集层，所述氟富集层分布在所述稀土烧结磁铁表面至130μm深度范围内。

6.根据权利要求5所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述步骤a）中，取平均粒径为0.1μm-10μm的硅、二氧化硅或碳化硅粉末，添加成膜剂，所述成膜剂与所述粉末的质量比为0.001：0.999～0.1：0.9，加入有机溶剂制备成悬浊液，将所述悬浊液涂覆在所述磁铁烧结体表面并干燥，以形成所述的含硅层。

7.根据权利要求6所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述步骤b）中，取研磨后的重稀土、重稀土化合物或重稀土合金粉末，添加成膜剂，所述成膜剂与所述粉末的质量比为0.001：0.999～0.1：0.9，加入有机溶剂制备成悬浊液，将所述悬浊液涂覆在所述含硅层上并干燥，以形成含重稀土层。

8.根据权利要求7所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述步骤b）中，所述重稀土扩散源为重稀土氟化物扩散源。

9.根据权利要求7所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述步骤c）中，以750℃-1000℃的温度对附着了含硅层和含重稀土层的所述磁铁烧结体热处理4小时以上。

10.根据权利要求6所述的R-Fe-B系稀土烧结磁铁的制备方法，其特征在于：所述步骤b）中，取研磨后的重稀土、重稀土化合物或重稀土合金粉末，添加成膜剂，所述成膜剂与所述粉末的质量比为0.001：0.999～0.1：0.9，加入有机溶剂制备成悬浊液，将所述悬浊液涂覆在载体的至少一面并烘干，得到至少一面覆膜的载体，膜中附着有重稀土、重稀土化合物或重稀土合金粉末。