[发明专利]烧结设备在审
申请号: | 202011059510.8 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112768372A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 闫升虎;苏文华 | 申请(专利权)人: | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;F27D9/00;C30B29/06;C30B35/00 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 脱颖 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 设备 | ||
1.一种烧结设备,用于加工光伏器件,其特征在于包括:
烧结段(102),用于对光伏器件进行烧结处理;
光处理段(104),用于对烧结处理后的光伏器件进行光处理;
冷却段(103),所述冷却段(103)设置在所述烧结段(102)和所述光处理段(104)之间,所述冷却段(103)包括第一冷却分区(112)和第二冷却分区(113),其中所述第一冷却分区(112)与所述烧结段(102)连接,所述第一冷却分区(112)被配置成以辐射冷却方式冷却光伏器件,所述第二冷却分区(113)被配置成以对流冷却方式冷却光伏器件,所述第一冷却分区(112)将所述光伏器件冷却至第一温度范围,所述第二冷却分区(112)将所述光体器件冷却至第二温度范围。
2.如权利要求1所述的烧结设备,其特征在于:
所述第二温度范围为180℃-250℃。
3.如权利要求1所述的烧结设备,其特征在于:
所述第一温度范围为280℃-350℃。
4.如权利要求1所述的烧结设备,其特征在于:
所述第一冷却分区(112)包括至少一个辐射冷却模块,所述辐射冷却模块包括第一上部换热器(401)和第一下部换热器(402),所述第一上部换热器(401)和第一下部换热器(402)之间设有允许光伏器件通过的间距,所述第一上部换热器(401)和第一下部换热器(402)的表面为黑色。
5.如权利要求4所述的烧结设备,其特征在于:
所述第一上部换热器(401)和第一下部换热器(402)的表面的黑色由铝氧化工艺形成或由涂敷涂层形成。
6.如权利要求4所述的烧结设备,其特征在于:
所述第一上部换热器(401)和第一下部换热器(402)为翅片管式换热器,所述翅片管式换热器包括盘管和多个依次排列的翅片,相邻的所述翅片之间设有间距,所述盘管穿过所述翅片。
7.如权利要求1所述的烧结设备,其特征在于:
所述第二冷却分区(113)包括至少一个对流冷却模块,所述对流冷却模块包括第二上部换热器(601)和第二下部换热器(602),所述第二上部换热器(601)和第二下部换热器(602)之间设有允许光伏器件通过的间距,所述第二上部换热器(601)的上方设有至少一个风扇(605),所述至少一个风扇(605)被配置成使气流能够从第二上部换热器(601)流向第二下部换热器(602);
所述风扇(605)的底部与所述第二上部换热器(601)的顶部之间的间距不小于25CM。
8.如权利要求7所述的烧结设备,其特征在于:
所述第二上部换热器(601)和第二下部换热器(602)为翅片管式换热器,所述翅片管式换热器包括盘管和多个依次排列的翅片,相邻的所述翅片之间设有间距,所述盘管穿过所述翅片。
9.如权利要求7所述的烧结设备,其特征在于:
所述至少一个风扇(605)为多个风扇,所述多个风扇在所述第二上部换热器(601)上方均匀分布,所述多个风扇的功率可调节;
所述第二冷却分区(113)包括风扇支架,所述多个风扇安装在风扇支架上。
10.如权利要求1所述的烧结设备,其特征在于:
所述第二冷却分区(113)与所述烧结段(102)之间的距离不小于0.85m。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊利诺斯工具制品有限公司,未经伊利诺斯工具制品有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011059510.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造