[发明专利]一种脊型中红外波导结构

权利要求书

1.一种脊型中红外波导结构，其特征在于，包括Si衬底层(1)，Si衬底层(1)顶部间隔设置有条形SiO₂埋氧层(2)，条形SiO₂埋氧层(2)中间位置的顶部设置有条形Si波导层(3)，条形Si波导层(3)与间隔设置的条形SiO₂埋氧层(2)均垂直，条形SiO₂埋氧层(2)剩余顶部位置上还设置有平板Si波导层(4)，位于整块条形SiO₂埋氧层(2)的两端的两块平板Si波导层(4)与条形Si波导层(3)形成夹持关系，条形Si波导层(3)与平板Si波导层(4)共同构成脊型Si波导结构。

2.根据权利要求1所述的一种脊型中红外波导结构，其特征在于，所述Si衬底层(1)的掺杂浓度为1×10¹³cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子，高度为100μm～300μm，宽度为100μm～1000μm。

3.根据权利要求1所述的一种脊型中红外波导结构，其特征在于，所述条形SiO₂埋氧层(2)厚度为0.5μm～1μm，宽度为100μm～1000μm，深度为1μm～5μm，深度方向上间隔距离为10μm～30μm。

4.根据权利要求1所述的一种脊型中红外波导结构，其特征在于，所述条形Si波导层(3)的掺杂浓度为1×10¹³cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子，厚度为0.15μm～0.5μm，宽度为0.5μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的一种脊型中红外波导结构，其特征在于，所述平板Si波导层(4)的掺杂浓度为1×10¹³cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子，厚度为0.05μm～0.2μm，宽度为0.5μm～5μm，深度为1.5μm～35μm，深度方向上间隔距离为9.5μm～25μm。