[发明专利]铌酸锂薄膜超晶格的制备方法

权利要求书

1.一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法，其特征在于，包括：

1)制备套刻用的套刻标记；

所述套刻标记的制备方法包括：

在样片上采用紫外光光刻的方法制备套刻标记光刻胶图形；

在光刻好的结构上镀上一层不易去除的30nm-300nm厚的金属；

利用丙酮或NMP溶液，去除光刻胶，留下套刻用的金属标记，得到套刻标记；

2)根据套刻标记，采用光刻法在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构，其中，每两个叉指电极结构之间间隔一个周期，叉指与铌酸锂z轴垂直；

3)在光刻好的叉指电极结构上镀上一层金属电极；

4)去除光刻胶，得到周期性叉指电极；

5)在一侧叉指电极上接入电极正极，另一侧叉指电极接地，然后施加电场，使得叉指电极之间畴翻转，然后去除电极，得到第一周期性畴翻转结构；

6)将套刻标记向右平移一个周期的距离，重复步骤2)～5)，得到第二周期性畴翻转结构；

7)重复执行步骤6)，直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等，完成制备。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中光刻法为紫外光刻的方法。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中金属电极为铝、镍、铬或钛。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中去除光刻胶的方法是利用丙酮或NMP溶液腐蚀去除。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5)中施加的电场为100V～400V，根据周期大小和矫顽场确定。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中套刻标记均是在前一次的基础上向右平移，平移的一个周期的距离与每两个叉指电极结构之间间隔相等。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤7)至少重复1次，得到第三周期性畴翻转结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中，制备第一周期性畴翻转结构的第一根电极和制备第二周期性畴翻转结构的第二根电极之间的电场超过畴翻转的矫顽场，第二根电极与制备第三周期性畴翻转结构的第三根电极之间的电场低于矫顽场。