[发明专利]含有增强元胞设计的功率MOSFET器件

权利要求书

1.含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率MOSFET器件包括：

具有第一导电类型的外延层；

若干个具有第二导电类型的第一区域，均匀分布于所述外延层的上表面，且各所述第一区域分别与所述外延层形成第一PN结；

若干个具有第二导电类型的中央注入结构，均匀分布于JFET区域内；所述JFET区域由任意两个相邻的第一区域之间的空隙构成；

其中，若干个所述中央注入结构为圆形或者正多边形；

任意两个相邻的所述第一区域部分连通，以使所述功率MOSFET器件具有若干个相互独立的JFET区域；

所述功率MOSFET器件还包括：

若干个具有第一导电类型的第二区域；其中，各所述第二区域位于各所述第一区域内部；所述第二区域与所述第一区域形成第二PN结；所述第二区域的深度小于所述第一区域的深度；

若干个具有第二导电类型的第三区域；其中，各所述第三区域位于各所述第一区域的中心位置，与所述第一区域连接；且所述第三区域的上表面形成有欧姆接触金属；

所述欧姆接触金属与所述第三区域及所述第二区域同时接触；

所述第三区域的掺杂浓度高于所述第一区域的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，任意两个所述中央注入结构之间连通；

或者，任一所述中央注入结构与其相邻的所述第一区域连通。

3.根据权利要求1所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述第二区域的形状与所述第一区域的形状相同。

4.根据权利要求1所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述第二区域为环状多边形。

5.根据权利要求1所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率MOSFET器件还包括：

绝缘栅极氧化层，所述绝缘栅极氧化层形成于所述外延层的上表面，且横跨任意两个相邻的第二区域；

栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅形成于所述绝缘栅极氧化层的上表面，且所述栅极导电多晶硅横跨任意两个相邻的第二区域。

6.根据权利要求1所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率MOSFET器件还包括：

漏极电极，所述漏极电极位于碳化硅衬底的下表面；其中，所述碳化硅衬底位于所述外延层的下表面，且具有第一导电类型；所述碳化硅衬底的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度；

源极电极，所述源极电极位于所述功率MOSFET器件的顶部，且所述源极电极与栅极导电多晶硅之间由绝缘介质层隔开。

7.根据权利要求6所述的含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，其特征在于，所述若干个中央注入结构与所述源极电极相连；其中，所述中央注入结构的掺杂浓度与所述第一区域或者第三区域的掺杂浓度相等。