[发明专利]体声波谐振器、掺杂浓度确定方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

压电层，所述压电层为包括掺杂元素的压电层，所述掺杂元素具有对应的掺杂浓度；和

顶电极，

其中：

所述谐振器具有层厚比E/P；

所述谐振器具有机电耦合系数Kt²，所述掺杂浓度不小于a1，a1为层厚比E/P＝0.75时所述机电耦合系数Kt²对应的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a1由如下公式确定：Kt²＝0.3909a1²+0.3056a1+0.062。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述掺杂浓度不小于a2，a2为谐振器层厚比E/P＝0.85时所述机电耦合系数Kt²对应的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a2由如下公式确定：Kt²＝0.4463a2²+0.2869a2+0.0603。

5.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

所述掺杂浓度不小于a5，a5为谐振器层厚比E/P＝1.00时所述机电耦合系数Kt²对应的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a5由如下公式确定：Kt²＝0.4147a5²+0.2774a5+0.057。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：

所述掺杂浓度不大于a3，a3为谐振器层厚比E/P＝1.25时所述机电耦合系数Kt²对应的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a3由如下公式确定：Kt²＝0.3791a3²+0.2805a3+0.0528。

9.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述掺杂浓度不大于a4，a4为谐振器层厚比E/P＝1.15时所述机电耦合系数Kt²对应的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a4由如下公式确定：Kt²＝0.3829a4²+0.2825a4+0.0547。

11.一种滤波器，包括多个根据权利要求1-10中任一项所述的体声波谐振器。

12.根据权利要求11所述的滤波器，其中：

所述滤波器为Band1频段或Band3频段的滤波器；且

所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度在4.6％-10.2％的范围内。

13.根据权利要求12所述的滤波器，其中：

所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度在5.4％-9.1％的范围内。

14.根据权利要求11所述的滤波器，其中：

所述滤波器为2.515GHz-2.675GHz频段或3.3GHz-3.6GHz频段的滤波器；且

所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度在13.4％-22.1％的范围内。