[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011061495.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112366255B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的GaN缓冲层、成核层、GaN填平层、n型GaN层、有源层及p型GaN层，
所述成核层、所述GaN填平层中均掺杂有n型杂质，所述成核层中n型杂质的掺杂浓度、所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度及所述n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度依次增加，且所述n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度为2E8～6E18/cm3。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述成核层包括交替层叠的第一GaN成核层与第二GaN成核层，所述第一GaN成核层为掺杂有n型杂质的GaN材料制备，所述第二GaN成核层为非掺杂GaN材料制备。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一GaN成核层中n型杂质的掺杂浓度为1E17～6E17/cm3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度，在所述GaN填平层的生长方向上先增大后减小。
5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度为所述成核层中n型杂质的掺杂浓度的5～10倍。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN填平层中n型杂质掺杂浓度为所述n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度的0.15～0.5倍。
7.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度为1E18-6E18/cm3。
8.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长GaN缓冲层；
在所述GaN缓冲层上生长成核层，所述成核层中均掺杂有n型杂质；
在所述成核层上生长GaN填平层，所述GaN填平层中掺杂有n型杂质，所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度大于所述成核层中n型杂质的掺杂浓度；
在所述GaN填平层上生长n型GaN层，所述n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度大于所述GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度，所述n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度为2E8～6E18/cm3；
在所述n型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长p型GaN层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述GaN填平层上生长n型GaN层，包括：
向反应腔通入反应气体并间断性通入Si源，在所述GaN填平层上生长n型GaN层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，每次向所述反应腔通入180～300s的流量为40～80的Si源。
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